[實(shí)用新型]硅外延用石墨基座有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220023958.2 | 申請(qǐng)日： | 2022-01-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN217298088U | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王剛;袁肇耿;吳曉琳;馮聚坤;張曉博;王凱達(dá) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河北普興電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B25/12 | 分類號(hào)： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人： | 張一 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 石墨 基座 | ||
1.一種硅外延用石墨基座，其特征在于，包括：
石墨基座本體(10)，設(shè)有存放凹槽(11)，用以存放襯底基片，所述存放凹槽(11)為圓形，所述存放凹槽(11)槽底為弧形面，且所述存放凹槽(11)槽底開(kāi)設(shè)有若干排氣孔(12)，若干所述排氣孔(12)均布在所述存放凹槽(11)槽底。
2.如權(quán)利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述放凹槽槽底中心在豎直方向上的高度低于槽底邊緣在豎直方向上的高度，以貼合受熱后的襯底基片。
3.如權(quán)利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述石墨基座本體(10)上還設(shè)有環(huán)形臺(tái)階(13)，所述環(huán)形臺(tái)階(13)設(shè)在所述存放凹槽(11)的上側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述環(huán)形臺(tái)階(13)的軸線與所述存放凹槽(11)的軸線重合。
5.如權(quán)利要求4所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述環(huán)形臺(tái)階(13)的臺(tái)階面為朝向所述存放凹槽(11)軸線的斜面，所述臺(tái)階面的下側(cè)邊緣與所述存放凹槽(11)的側(cè)壁連接。
6.如權(quán)利要求5所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述臺(tái)階面與所述存放凹槽(11)的上表面的夾角為5°到20°。
7.如權(quán)利要求6所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述臺(tái)階面與所述存放凹槽(11)的上表面的夾角為15°。
8.如權(quán)利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，若干所述排氣孔(12)為800到1000個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述石墨基座本體(10)上涂覆有碳化硅涂層。
10.如權(quán)利要求1所述的硅外延用石墨基座，其特征在于，所述存放凹槽(11)的尺寸為6英寸或者8英寸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河北普興電子科技股份有限公司，未經(jīng)河北普興電子科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202220023958.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種LNG接收站的取排水系統(tǒng)
- 下一篇：一種易收納耳套的安全帽
