[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2022-12-29
• 公開（公告）號: CN116031229A
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李偉聰;文雨;姜春亮
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44651
• 代理人: 劉自麗

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括封裝框架，所述封裝框架上設(shè)置有載片臺，所述載片臺上設(shè)置有芯片模組，所述芯片模組包括第一芯片、第二芯片和支撐架，所述支撐架包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述第一表面的一側(cè)與所述載片臺連接，所述第一表面的另一側(cè)懸空，與所述載片臺形成收納空間；所述第一芯片設(shè)置于所述支撐架的第二表面上；所述第二芯片設(shè)置于所述載片臺上，部分所述第二芯片位于所述收納空間內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐架懸空一側(cè)的厚度小于另一側(cè)的厚度。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐架懸空一側(cè)的厚度為0.5mm～1mm，另一側(cè)的厚度為1mm～2mm。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片為IGBT芯片，所述第二芯片為FRD芯片；或，所述第一芯片為FRD芯片，所述第二芯片為IGBT芯片。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括柵極焊盤和源極焊盤，所述柵極焊盤通過柵極引線與所述IGBT芯片的柵極壓焊點(diǎn)電連接，所述源極焊盤通過第一源極引線與所述IGBT芯片的源極壓焊點(diǎn)連接。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括柵極引腳、漏極引腳和源極引腳，所述柵極引腳與所述柵極焊盤連接，所述漏極引腳與所述IGBT芯片的漏極連接，所述源極引腳與所述源極焊盤連接。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述FRD芯片包括相對設(shè)置的陽極面和陰極面，所述FRD芯片的陽極面背向所述載片臺，所述FRD芯片的陽極面通過第二源極引線與所述源極焊盤連接。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二芯片的表面設(shè)置有絕緣層，所述第二芯片通過所述絕緣層與所述支撐架絕緣。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片與所述支撐架之間具有間隔。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述間隔為0.3mm～1mm。