[發(fā)明專利]半導體封裝結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211717716.4
• 申請日: 2022-12-29
• 公開（公告）號: CN116031229A
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發(fā)明（設計）人: 李偉聰;文雨;姜春亮
• 申請（專利權）人: 深圳市威兆半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 劉自麗

本申請公開了一種半導體封裝結構，該半導體封裝結構包括封裝框架，封裝框架上設置有載片臺，載片臺上設置有芯片模組，芯片模組包括第一芯片、第二芯片和支撐架。該支撐架包括相對設置的第一表面和第二表面，第一表面的一側與載片臺連接，第一表面的另一側懸空，與載片臺形成收納空間；第一芯片設置于支撐架的第二表面上；第二芯片設置于載片臺上，部分第二芯片位于收納空間內。本方案可以減小芯片的封裝面積。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體涉及一種半導體封裝結構。

背景技術

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，IGBT)是一種MOS場效應晶體管和雙極型晶體管復合的新型電力電子器件。它既有MOSFET易于驅動，控制簡單的優(yōu)點，又有功率晶體管導通壓降低，通態(tài)電流大，損耗小的優(yōu)點，已成為現(xiàn)代電力電子電路中的核心電子元器件之一，廣泛地應用在諸如通信、能源、交通、工業(yè)、醫(yī)學、家用電器及航空航天等國民經濟的各個領域。IGBT的應用對電力電子系統(tǒng)性能的提升起到了極為重要的作用。

由于IGBT沒有反向導通的能力，目前市面上的IGBT都是通過與快速恢復二極管(Fast?Recovery?Diode，F(xiàn)RD)并聯(lián)封裝在一起使用，以實現(xiàn)續(xù)流的能力。但是，對于電流超過75A的芯片，由于芯片面積較大，可能會導致IGBT和FRD無法封裝到面積有限的封裝框架中。

發(fā)明內容

本申請?zhí)峁┝艘环N半導體封裝結構，可以減小芯片的封裝面積。

本申請?zhí)峁┝艘环N半導體封裝結構，包括：

載片臺；

支撐架，所述支撐架包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面的一側與所述載片臺連接，所述第一表面的另一側懸空，與所述載片臺形成收納空間；

第一芯片，所述第一芯片設置于所述支撐架的第二表面上；

第二芯片，所述第二芯片設置于所述載片臺上，部分所述第二芯片位于所述收納空間內。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述支撐架懸空一側的厚度小于另一側的厚度。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述支撐架懸空一側的厚度為0.5mm～1mm，另一側的厚度為1mm～2mm。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述第一芯片為IGBT芯片，所述第二芯片為FRD芯片；或，所述第一芯片為FRD芯片，所述第二芯片為IGBT芯片。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，還包括柵極焊盤和源極焊盤，所述柵極焊盤通過柵極引線與所述IGBT芯片的柵極壓焊點電連接，所述源極焊盤通過第一源極引線與所述IGBT芯片的源極壓焊點連接。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，還包括柵極引腳、漏極引腳和源極引腳，所述柵極引腳與所述柵極焊盤連接，所述漏極引腳與所述IGBT芯片的漏極連接，所述源極引腳與所述源極焊盤連接。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述FRD芯片包括相對設置的陽極面和陰極面，所述FRD芯片的陽極面背向所述載片臺，所述FRD芯片的陽極面通過第二源極引線與所述源極焊盤連接。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述第二芯片的表面設置有絕緣層，所述第二芯片通過所述絕緣層與所述支撐架絕緣。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述第一芯片與所述支撐架之間具有間隔。

在本申請?zhí)峁┑陌雽w封裝結構中，所述間隔為0.3mm～1mm。