[發(fā)明專利]嵌埋器件封裝基板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211716959.6 | 申請日: | 2022-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN116013870A | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳先明;洪業(yè)杰;黃高;黃本霞;林文健 | 申請(專利權(quán))人: | 珠海越亞半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/14;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 車英慧 |
| 地址: | 519175 廣東省珠海*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 器件 封裝 及其 制作方法 | ||
本公開提供一種嵌埋器件封裝基板及其制作方法。具體地,所述嵌埋器件封裝基板,包括:線路板,包括第一絕緣層和位于所述第一絕緣層上表面的第一線路層;芯層,覆蓋在所述第一線路層上,并且所述芯層包括預(yù)置開口;器件,嵌埋于所述預(yù)置開口內(nèi);封裝層,覆蓋所述芯層并且填充所述芯層與所述器件之間的縫隙;以及外線路層,位于所述封裝層上;其中,所述外線路層通過貫穿所述封裝層的第一導(dǎo)通柱連接所述器件的端子并且通過貫穿所述芯層和所述封裝層的第二導(dǎo)通柱連接所述第一線路層。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種嵌埋器件封裝基板及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的日益發(fā)展,電子產(chǎn)品的性能要求越來越高,使得電子元件及基板線路越來越復(fù)雜;同時(shí)電子產(chǎn)品尺寸要求越來越小,越來越薄。因此,芯片等電子器件封裝基板的高密度集成化、小型化、多功能化是必然趨勢。為實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品的多功能、高性能、小型化,如何高效地、低成本地將芯片等主被動(dòng)器件嵌埋封裝于基板內(nèi)部,是目前半導(dǎo)體封裝行業(yè)中很重要的研究方向。
現(xiàn)有的板級芯片封裝扇出技術(shù)包括:預(yù)先制作具有矩形空腔的聚合物框架,然后將芯片嵌埋封裝于矩形空腔,再通過制作再布線層連接芯片和聚合物框架。對于多層的芯片嵌埋封裝基板,在上述封裝的基礎(chǔ)上,還雙面進(jìn)行增層制作。采樣這樣的技術(shù)方案,需要預(yù)先制作具有空腔的聚合物框架,加工流程更長,而且聚合物框架的空腔需要電鍍犧牲銅柱后,再進(jìn)行蝕刻去除犧牲銅柱,從而形成空腔,造成較大的物料成本浪費(fèi)。
此外,芯片嵌埋封裝的流程在整個(gè)加工流程中位置靠前,由于芯片較薄、易碎,在后續(xù)較長加工過程中,芯片報(bào)廢的比例較高,而且加工流程中基板的報(bào)廢也會(huì)導(dǎo)致芯片的浪費(fèi)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本公開的目的在于提出一種嵌埋器件封裝基板及其制作方法。
基于上述目的,第一方面,本公開提供了一種嵌埋器件封裝基板,包括:
線路板,包括第一絕緣層和位于所述第一絕緣層上表面的第一線路層;
芯層,覆蓋在所述第一線路層上,并且所述芯層包括預(yù)置開口;
器件,嵌埋于所述預(yù)置開口內(nèi);
封裝層,覆蓋所述芯層并且填充所述芯層與所述器件之間的縫隙;以及
外線路層,位于所述封裝層上;
其中,所述外線路層通過貫穿所述封裝層的第一導(dǎo)通柱連接所述器件的端子并且通過貫穿所述芯層和所述封裝層的第二導(dǎo)通柱連接所述第一線路層。
第二方面,本公開提供了一種嵌埋器件封裝基板的制作方法,所述制作方法包括:
(a)準(zhǔn)備線路板,所述線路板包括第一絕緣層和位于所述第一絕緣層上表面上的第一線路層;
(b)在所述第一線路層上形成粘芯介質(zhì)層;
(c)將器件的背面貼合在所述粘芯介質(zhì)層上;
(d)在所述粘芯介質(zhì)層上層疊芯層,其中所述芯層包括預(yù)置開口以容納所述器件;
(e)在所述芯層上層疊封裝層以封裝所述器件;
(f)形成連接所述器件的端子的第一導(dǎo)通柱和連接所述第一線路層的第二導(dǎo)通柱;
(g)在所述封裝層上形成外線路層,其中所述外線路層與所述器件的端子通過所述第一導(dǎo)通柱導(dǎo)通連接,所述外線路層與所述第一線路層通過所述第二導(dǎo)通柱導(dǎo)通連接。
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