[發明專利]一種金屬掩膜版用因瓦合金的制備方法

在審

• 申請號: 202211700709.3
• 申請日: 2022-12-28
• 公開（公告）號: CN115976395A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 于敏;胡博煒;廖朋飛;張樂;安楊;彭劼;蔡凱洪;李振瑞
• 申請（專利權）人: 北冶功能材料（江蘇）有限公司;北京北冶功能材料有限公司
• 主分類號: C22C33/04
• 分類號: C22C33/04;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/08;C22C38/00;C22C38/06;C23C14/04;C23C14/24;C21D8/02
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 韋漢

本申請涉及合金制備技術領域，尤其涉及一種金屬掩膜版用因瓦合金的制備方法。所述方法包括:對原材料進行真空熔煉，并控制所述原材料的化學成分，得到鋼水；使用所述鋼水對所述鑄錠模進行澆注，后進行振動，得到鑄錠；其中，所述鑄錠模的外部處于保溫狀態；對所述鑄錠進行重熔精煉，得到鋼錠；對所述鋼錠進行均勻化處理，后進行鍛造和熱軋，以及軋后分階段修磨處理，得到因瓦合金。本申請內容解決了現有金屬掩膜版用因瓦合金表面夾雜物缺陷較多的技術問題。

技術領域

本申請涉及合金制備技術領域，尤其涉及一種金屬掩膜版用因瓦合金的制備方法。

背景技術

精細金屬掩膜版是OLED蒸鍍工藝中的消耗性核心零部件，主要材料是金屬或金屬+樹脂。其主要作用是在OLED生產過程中沉積顏色系統有機物質并形成像素，在需要的地方準確和精細地沉積有機物質，提高分辨率和良率。

目前，蝕刻精細金屬掩膜版技術最為成熟，量產蝕刻精細金屬掩膜版需要微米級別的因瓦合金箔材。在精細金屬掩膜版的生產過程中，需要將因瓦合金箔材進行蝕刻，要求其表面以及內部不能有影響蝕刻圖像精度的夾雜物或缺陷存在。對于現有量產的因瓦合金箔材，夾雜物以及缺陷的尺寸和數量已經成為影響精細金屬掩膜版良率的重要因素。

發明內容

本申請提供了一種金屬掩膜版用因瓦合金的制備方法，以解決現有金屬掩膜版用因瓦合金表面夾雜物缺陷較多的技術問題。

第一方面，本申請提供了一種金屬掩膜版用因瓦合金的制備方法，所述方法包括:

對原材料進行真空熔煉，并控制所述原材料的化學成分，得到鋼水；

使用所述鋼水對所述鑄錠模進行澆注，后進行振動，得到鑄錠；其中，所述鑄錠模的外部處于保溫狀態；

對所述鑄錠進行重熔精煉，得到鋼錠；

對所述鋼錠進行均勻化處理，后進行鍛造和熱軋，以及軋后分階段修磨處理，得到因瓦合金。

可選的，所述原材料的化學成分包括：

C、Si、Mn、Ni、S、P、O、Ce、Fe、N、H、Ca、Al；其中，

C的含量為≤0.01重量％，Si的含量為≤0.05重量％，Mn的含量為0.02重量％-0.08重量％，Ni的含量為35.0重量％-37.0重量％，S的含量為≤0.002重量％，P的含量為≤0.002重量％，O的含量為≤0.001重量％，Ce的含量為0.005重量％-0.01重量％；

且滿足[O]+[N]+[H]≤0.0015重量％，[Si]+[Ca]+[Al]≤0.05重量％；其中，

[O]表示O的重量，[N]表示N的重量，[H]表示H的重量，[Si]表示Si的重量，[Ca]表示Ca的重量，[Al]表示Al的重量。

可選的，所述均勻化處理的工藝參數包括：加熱溫度為780℃-880℃，保溫時間為18h-24h。

可選的，所述鍛造的加熱溫度為1150℃-1220℃。

可選的，所述熱軋的加熱溫度為1180℃-1250℃。

可選的，所述對所述帶鋼進行分階段修磨處理，得到因瓦合金之后，還包括：

對所述因瓦合金進行循環冷軋，并控制所述冷軋中每個軋程的變形量，得到冷軋帶鋼；

對所述冷軋帶鋼進行分階段退火處理，得到成品箔材。

可選的，對所述冷軋帶鋼進行分階段退火處理，得到成品箔材，包括：

對所述冷軋帶鋼進行第一退火處理，后進行軋制和拉矯，得到成品箔材；

對所述成品箔材進行第二退火處理，以除去成品箔材的應力；其中，