[發明專利]一種水駐極母粒、制備方法及其在熔噴布制備中的應用

在審

• 申請號: 202211681694.0
• 申請日: 2022-12-27
• 公開（公告）號: CN116199970A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 李紹亮;毛淑麗;梁躍華;郭靜;黃巖
• 申請（專利權）人: 肇慶浚榮非織造材料有限公司
• 主分類號: C08L23/12
• 分類號: C08L23/12;D01F6/46;D01F1/10;D06M15/333;D06M11/72;D06M15/03;D06M15/61;C08J3/22;C08K9/06;C08K7/26;C08K9/04;D04H1/544;D04H1/56;D01D5/098
• 代理公司: 山東華君知識產權代理有限公司 37300
• 代理人: 李欣

本發明公開了一種水駐極母粒、制備方法及其在熔噴布制備中的應用，屬于熔噴布生產技術領域；水駐極母粒包括聚丙烯樹脂、超細碳酸鈣、乙撐雙硬脂酸酰胺、改性納米二氧化硅、硬脂酸鋅、抗氧劑1010、硬脂酸；水駐極母粒的制備方法為按預定重量份數稱取各原料進行高速混合、熔融擠出造粒，得到水駐極母粒；水駐極母粒在熔噴布制備中的應用包括：生產熔噴布，制備駐極液，駐極，表面噴淋改性，烘干；本發明能夠在保證水駐極熔噴布在長時間不會發生靜電衰減的同時，解決水駐極熔噴布的烘干不徹底的問題，避免面料變硬和后期發黃的問題，并提高水駐極熔噴布的韌性和強度。

技術領域

本發明涉及熔噴布生產技術領域，具體涉及一種水駐極母粒、制備方法及其在熔噴布制備中的應用。

背景技術

水駐極是一種熔噴布生產過程中使熔噴布帶靜電的駐極工藝，該工藝可以是熔噴布靜電量飽和，且靜電駐極時間長。與傳統熔噴布駐極工藝區別在于：傳統熔噴布使用的是電暈駐極，其表面駐極體較明顯，但是過濾效率達不到峰值及儲存會隨著時間降低，材料表面靜電衰減明顯；而水駐極熔噴布表現情況為靜電量飽和，水駐極充電方式可過油性檢測、鹽性檢測，可以有效解決口罩行業熔噴布電駐極過濾效率提升及儲存后降低的問題。

水駐極的方法包括熔噴布生成、純水制備、水駐極工序、烘干工藝，其中，熔噴布生成為選擇駐極體高流動性聚丙烯，注入少量水駐極母粒；純水制備為選擇自來水為水源，水源進行砂石罐過濾和活性炭過濾，向過濾后的水源注入反滲透劑和鹽酸，對水源進行反滲透膜二級過濾，自動偵測向過濾后的水源注入堿性工業試劑，順利完成純水制備；水駐極工序為利用高壓水泵將制備好的純水輸送到扇形噴嘴，扇形噴嘴對熔噴布進行水刺噴射，利用水與熔噴纖維摩擦產生電荷，順利完成水刺駐極；烘干工藝為利用傳送網將水刺駐極后的熔噴布送入烘干箱內，運用熱風烘干，烘干后分切卷繞。

水駐極工能夠有效解決口罩行業熔噴布電駐極過濾效率提升及儲存后降低的問題，而且靜電不衰減，低阻，而駐極體熔噴布的性能是靜態飽和，水駐極熔噴布衰減快，但是在水駐極的烘干工藝中，容易存在烘干不徹底的問題，導致熔噴布面料變硬和后期發黃的問題，而且水駐極熔噴布的韌性和強度低。

為了解決上述問題，目前最常用的方法為向水駐極母粒中加入抗黃變劑和增強劑，但是抗黃變劑和增強劑的加入會導致水駐極熔噴布靜電衰減加快。因次，如何在保證水駐極熔噴布在長時間不會發生靜電衰減的同時，解決水駐極熔噴布的烘干不徹底的問題，避免面料變硬和后期發黃的問題，并提高水駐極熔噴布的韌性和強度，是目前急需解決的技術問題。

發明內容

針對現有技術存在的不足，本發明提供了一種水駐極母粒、制備方法及其在熔噴布制備中的應用，能夠在保證水駐極熔噴布在長時間不會發生靜電衰減的同時，解決水駐極熔噴布的烘干不徹底的問題，避免面料變硬和后期發黃的問題，并提高水駐極熔噴布的韌性和強度。

為解決以上技術問題，本發明采取的技術方案如下：

一種水駐極母粒，按重量份計，包括：150-160份聚丙烯樹脂，30-40份超細碳酸鈣，3-5份乙撐雙硬脂酸酰胺，12-15份改性納米二氧化硅，1.5-3份硬脂酸鋅，2-3份抗氧劑1010，1-2份硬脂酸；

所述聚丙烯樹脂在230℃，2.16kg條件下的熔融指數為1200-1400g/10min；

所述超細碳酸鈣的粒徑為0.03-0.05μm；

所述改性納米二氧化硅的制備方法為：將納米二氧化硅加入無水乙醇中，在40-45℃下攪拌，得到二氧化硅懸浮液；將二氧化硅懸浮液、硅烷偶聯劑KH-560加入反應釜內，將反應釜抽真空至真空度為0.096-0.098MPa，向反應釜中通入氮氣至氮氣的氣體壓力為0.12-0.15MPa，將反應釜的溫度控制至30-35℃，攪拌40-45min后，向反應釜中二甲基二烯丙基氯化銨水溶液、過硫酸銨，繼續攪拌1-1.2h，得到混合液，將混合液進行抽濾，然后將濾渣進行真空干燥，真空干燥結束得到改性納米二氧化硅；

所述改性納米二氧化硅的制備中，所述納米二氧化硅的粒徑為80-100nm；