[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202211678661.0
• 申請日: 2022-12-26
• 公開（公告）號: CN115863359A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 劉學敏
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 孟霞

本申請提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，所述陣列基板包括：襯底基板，包括顯示區和位于所述顯示區至少一側的非顯示區；薄膜晶體管，設置于所述襯底基板上，且所述薄膜晶體管位于所述顯示區內；鈍化層，設置于所述薄膜晶體管和所述襯底基板上；其中，所述鈍化層包括位于所述顯示區的第一鈍化層和位于所述非顯示區的第二鈍化層，所述第一鈍化層與所述第二鈍化層同層設置，且所述第一鈍化層的光穿透率高于所述第二鈍化層的光穿透率。本申請提供的陣列基板結構能夠提升陣列基板的穿透率，且不會影響到顯示面板的信賴性。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

顯示屏的穿透率是顯示屏光學性能衡量的重要指標。陣列基板是顯示屏的重要組成部分，由于陣列基板上需要制作像素開關和驅動電路，因此陣列基板的穿透率將影響到顯示屏的整體穿透率，從而影響到液晶顯示屏整體的光學利用效果及背光選型成本。為提升陣列基板的穿透率，近年來業內進行了很多膜層架構的相關研究。例如，對膜層材料進行改進，但一些膜層材料的改變雖然提升了陣列基板的穿透率，但卻導致了信賴性方面的問題。

發明內容

有鑒于此，本申請提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，能夠提升陣列基板的穿透率，且不會影響到陣列基板的信賴性。

第一方面，本申請提供一種陣列基板，包括：

襯底基板，包括顯示區和位于所述顯示區至少一側的非顯示區；

薄膜晶體管，設置于所述襯底基板上，且所述薄膜晶體管位于所述顯示區內；

鈍化層，設置于所述薄膜晶體管和所述襯底基板上；

其中，所述鈍化層包括位于所述顯示區的第一鈍化層和位于所述非顯示區的第二鈍化層，所述第一鈍化層與所述第二鈍化層同層設置，且所述第一鈍化層的光穿透率高于所述第二鈍化層的光穿透率。

在本申請一可選實施例中，所述第一鈍化層的材料為氧化硅。

在本申請一可選實施例中，所述第二鈍化層的材料為氮化硅。

在本申請一可選實施例中，所述薄膜晶體管包括：有源層、柵極絕緣層、柵極、源極及漏極；其中，所述有源層設置于所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設置于所述有源層上，所述柵極設置于所述柵極絕緣層上，所述源極和所述漏極設置于所述柵極上，所述鈍化層設置于所述源極和所述漏極上。

在本申請一可選實施例中，所述薄膜晶體管包括：柵極、柵極絕緣層、有源層、源極及漏極；其中，所述柵極設置于所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設置于所述柵極上，所述有源層設置于所述柵極絕緣層上，所述源極和所述漏極設置于所述有源層上，所述鈍化層設置于所述源極和所述漏極上。

在本申請一可選實施例中，所述陣列基板還包括第一電極層和第二電極層，所述第一電極層設置于所述鈍化層靠近所述源極和所述漏極的一側，所述第二電極層設置于所述鈍化層遠離所述源極和所述漏極的一側。

第二方面，本申請提供一種陣列基板的制備方法，包括：

提供一襯底基板，所述襯底基板包括顯示區和位于所述顯示區至少一側的非顯示區；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管形成在所述顯示區內；

在所述薄膜晶體管和所述襯底基板上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成在所述顯示區內；

在所述襯底基板上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層形成在所述非顯示區內，且所述第二鈍化層與所述第一鈍化層同層設置；

其中，所述第一鈍化層的光穿透率高于所述第二鈍化層的光穿透率。

在本申請一可選實施例中，所述第一鈍化層的材料為氧化硅。