[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202211678661.0
• 申請日: 2022-12-26
• 公開（公告）號: CN115863359A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 劉學敏
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 孟霞

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板，包括顯示區和位于所述顯示區至少一側的非顯示區；

薄膜晶體管，設置于所述襯底基板上，且所述薄膜晶體管位于所述顯示區內；

鈍化層，設置于所述薄膜晶體管和所述襯底基板上；

其中，所述鈍化層包括位于所述顯示區的第一鈍化層和位于所述非顯示區的第二鈍化層，所述第一鈍化層與所述第二鈍化層同層設置，且所述第一鈍化層的光穿透率高于所述第二鈍化層的光穿透率。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層的材料為氧化硅。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二鈍化層的材料為氮化硅。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：有源層、柵極絕緣層、柵極、源極及漏極；其中，所述有源層設置于所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設置于所述有源層上，所述柵極設置于所述柵極絕緣層上，所述源極和所述漏極設置于所述柵極上，所述鈍化層設置于所述源極和所述漏極上。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：柵極、柵極絕緣層、有源層、源極及漏極；其中，所述柵極設置于所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設置于所述柵極上，所述有源層設置于所述柵極絕緣層上，所述源極和所述漏極設置于所述有源層上，所述鈍化層設置于所述源極和所述漏極上。

6.如權利要求4-5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第一電極層和第二電極層，所述第一電極層設置于所述鈍化層靠近所述源極和所述漏極的一側，所述第二電極層設置于所述鈍化層遠離所述源極和所述漏極的一側。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板，所述襯底基板包括顯示區和位于所述顯示區至少一側的非顯示區；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管形成在所述顯示區內；

在所述薄膜晶體管和所述襯底基板上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層形成在所述顯示區內；

在所述襯底基板上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層形成在所述非顯示區內，且所述第二鈍化層與所述第一鈍化層同層設置；

其中，所述第一鈍化層的光穿透率高于所述第二鈍化層的光穿透率。

8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一鈍化層的材料為氧化硅。

9.如權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第二鈍化層的材料為氮化硅。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的陣列基板。