[發(fā)明專利]一種晶振膜厚監(jiān)控裝置和鍍膜設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211639056.2 | 申請日: | 2022-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN115992344A | 公開(公告)日: | 2023-04-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 賈松霖;陳亮;周鵬程;李華;王偉明 | 申請(專利權)人: | 江蘇宜興德融科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京眾達德權知識產(chǎn)權代理有限公司 11570 | 代理人: | 王杰 |
| 地址: | 214200 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶振膜厚 監(jiān)控 裝置 鍍膜 設備 | ||
1.一種晶振膜厚監(jiān)控裝置,包括:
晶振盤;
沿圓周方向布置在所述晶振盤上的多個棱柱形晶振底座,其中每個晶振底座具有圍繞中心軸線的多個棱柱面,每個棱柱面上適于承載膜厚監(jiān)測用晶振片,且所述晶振底座的中心軸線平行于晶振盤平面,每個晶振底座適于圍繞其中心軸線自轉(zhuǎn),以切換用于監(jiān)測膜厚的晶振片;以及
晶振保護罩,其在鍍膜過程中遮擋晶振底座上的不進行鍍膜的晶振片,并暴露正在進行鍍膜的晶振片。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述棱柱形晶振底座包括n個棱柱面,其中,n≥3,或n≥5。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述棱柱形晶振底座為正六棱柱。
4.根據(jù)權利要求1所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述晶振保護罩包括上保護罩和下保護罩,所述下保護罩上開設有開口,以暴露需要進行鍍膜的晶振片。
5.根據(jù)權利要求4所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述開口的大小適于暴露當前正在監(jiān)測膜厚的晶振片和緊接著將用于監(jiān)測膜厚的晶振片。
6.根據(jù)權利要求4所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述下保護罩適于轉(zhuǎn)動,以切換通過所述開口暴露的晶振底座。
7.根據(jù)權利要求4所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述晶振盤適于轉(zhuǎn)動并帶動晶振底座轉(zhuǎn)動,以切換通過所述開口暴露的晶振底座。
8.根據(jù)權利要求1所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述晶振盤具有轉(zhuǎn)動軸和從轉(zhuǎn)動軸徑向延伸的連接件,所述晶振底座具有中心軸,所述晶振底座的中心軸垂直于晶振盤的徑向方向與連接件固定連接,晶振底座的主體可轉(zhuǎn)動地套設在其中心軸上。
9.根據(jù)權利要求1所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,
所述晶振盤具有轉(zhuǎn)動軸和從轉(zhuǎn)動軸徑向延伸的連接件,晶振底座可轉(zhuǎn)動地套設在連接件上。
10.一種鍍膜設備,包括:
蒸發(fā)源;
待鍍膜工件;
如權利要求1-9任一項所述的晶振膜厚監(jiān)控裝置,其中,所述晶振膜厚監(jiān)控裝置鄰近所述待鍍膜工件放置以共同被鍍膜;
所述晶振膜厚監(jiān)控裝置連接膜厚計算裝置,以計算鍍膜厚度或鍍膜速率。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





