[發明專利]一種用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法在審
| 申請號： | 202211637082.1 | 申請日： | 2022-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN116083899A | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | 韓麗娟;司曉闖;李凱;張曉敏;何流流;龐亞娟;苗曉軍;范艷艷;員飛;牛溪野;井瓊瓊 | 申請（專利權）人： | 平高集團有限公司 |
| 主分類號： | C23C24/10 | 分類號： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人： | 李寧 |
| 地址： | 467001 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 接觸 基體 表面 導電 激光 方法 | ||
1.一種用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：將導電銀漿涂覆在電接觸基體表面，然后對涂覆有導電銀漿的電接觸基體表面進行激光熔覆處理。
2.根據權利要求1所述的用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：所述導電銀漿由銀粉和有機載體組成；導電銀漿中銀粉的質量百分比大于等于80％。
3.根據權利要求2所述的用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：導電銀漿中的銀粉由微米級銀粉和納米級銀粉組成；導電銀漿中微米級銀粉的含量為74-79％，納米級銀粉的含量為5-11％。
4.根據權利要求3所述的用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：導電銀漿中微米級銀粉的含量為74-79％，納米級銀粉的含量為5-9％。
5.根據權利要求1-4任一項所述的用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：導電銀漿中微米級銀粉的粒徑為2-5μm；納米級銀粉的粒徑為30-40nm。
6.根據權利要求1-4任一項所述的用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：激光熔覆處理所用的激光設備的功率為2800-3200W；激光束光斑焦點的直徑為2-4mm；激光束移動速度為3.5-4.5mm/s；相鄰兩道熔覆層之間的搭接率為35-45％。
7.根據權利要求1-4任一項所述的用于電接觸基體表面的導電銀漿激光熔覆方法，其特征在于：激光熔覆在惰性氣體環境中進行。
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