[發明專利]集成IPD芯片的濾波器結構、封裝模組及制備方法

在審

• 申請號: 202211622379.0
• 申請日: 2022-12-16
• 公開（公告）號: CN116131807A
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 蔣品方;朱勇;張巳龍;張磊;林紅寬
• 申請（專利權）人: 唯捷創芯（天津）電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64;H03H9/02;H03H3/08
• 代理公司: 北京汲智翼成知識產權代理事務所(普通合伙) 11381
• 代理人: 韓正魁;王鵬麗

1.一種集成IPD芯片的濾波器結構，其特征在于包括：

IPD芯片，用于與模組基板電連接；

濾波器芯片，設置于所述IPD芯片的表面，并與所述IPD芯片電連接；

薄膜層，覆蓋于所述IPD芯片和所述濾波器芯片的外側；

塑封層，塑封于所述IPD芯片的表面，以完全覆蓋所述薄膜層。

2.如權利要求1所述的濾波器結構，其特征在于所述濾波器芯片包括：

濾波器芯片體，位于所述IPD芯片的表面上方；

導電墊片，形成于所述濾波器芯片體的接合面上，并與所述IPD芯片電連接，以使所述濾波器芯片體的接合面與所述IPD芯片的表面之間形成容納空腔；其中，所述濾波器芯片體的接合面靠近所述IPD芯片的表面；

叉指換能器，形成于所述濾波器芯片體的接合面上，并位于所述容納空腔內。

3.如權利要求2所述的濾波器結構，其特征在于：

所述薄膜層替換為擋墻，所述擋墻設置于所述IPD芯片與所述濾波器芯片體之間，以用于阻擋塑封材料進入所述容納空腔內。

4.如權利要求3所述的濾波器結構，其特征在于：

所述擋墻設置于所述導電墊片的外側；或，

所述擋墻設置于所述導電墊片的內側，并位于所述叉指換能器的外側。

5.如權利要求1所述的濾波器結構，其特征在于：

所述塑封層的塑封材料至少滿足：所述塑封材料的顆粒直徑大于預設直徑；和/或，所述塑封材料的流動速度小于預設流速；和/或，所述塑封材料的粘性大于預設粘性。

6.如權利要求1所述的濾波器結構，其特征在于還包括載板，所述載板的表面設置有多個所述IPD芯片，相鄰兩個IPD芯片之間具有預設間距，以供切割刀進行單件切割。

7.一種濾波器結構的封裝模組，其特征在于包括：

模組基板，所述模組基板內置有預設電路；

如權利要求1～6中任意一項所述的濾波器結構，所述濾波器結構的IPD芯片貼裝在所述模組基板的表面，并與所述預設電路電連接。

8.一種集成IPD芯片的濾波器結構的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

在載板的表面設置膠體；

將多個IPD芯片分別粘貼在所述載板表面的預設位置；

將多個濾波器芯片分別貼裝在所述多個IPD芯片的表面，使得所述多個濾波器芯片的導電墊片分別與所述多個IPD芯片電連接；

利用聚合物薄膜將全部IPD芯片和全部濾波器芯片覆蓋，以形成薄膜層；

利用塑封材料塑封在所述載板的表面，并將所述薄膜層完全覆蓋，以形成塑封層；

塑封完成后進行單片切割，并去除所述載板，以形成單個集成IPD芯片的濾波器結構。

9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于所述利用聚合物薄膜將全部IPD芯片和全部濾波器芯片覆蓋，以形成薄膜層替換為：

在每一組IPD芯片與濾波器芯片之間設置擋墻，以使得所述擋墻位于所述濾波器芯片的導電墊片的外側。

10.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于所述利用聚合物薄膜將全部IPD芯片和全部濾波器芯片覆蓋，以形成薄膜層替換為：

在每一組IPD芯片與濾波器芯片之間設置擋墻，以使得所述擋墻位于所述濾波器芯片的導電墊片的內側，并位于所述濾波器芯片的叉指換能器的外側。