[發明專利]一種以金銀花花藥為外植體的再生方法有效
| 申請號: | 202211619800.2 | 申請日: | 2022-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN115843690B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 劉迪;甄軍波;劉琳琳;歐陽艷飛;任子蓓;任士福;遲吉娜;周英書 | 申請(專利權)人: | 河北省農林科學院棉花研究所(河北省農林科學院特種經濟作物研究所) |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 河北知亦可為專利代理事務所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人: | 陸文舒 |
| 地址: | 050000 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金銀花 花藥 外植體 再生 方法 | ||
1.一種以金銀花花藥為外植體的再生方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、制備愈傷組織誘導培養基M1、愈傷組織誘導培養基M2、分化培養基、生根培養基;
S2、獲取金銀花外植體并滅菌,收集金銀花花藥;
S3、將金銀花花藥于愈傷組織誘導培養基M1中培養后,于愈傷組織誘導培養基M2繼代培養至產生胚性愈傷組織;
S4、將胚性愈傷組織在分化培養基上分化培養至形成再生植株,將再生植株轉接到生根培養基培養,得到金銀花組培苗;
所述愈傷組織誘導培養基M1以MS為基本培養基,添加葡萄糖25~35g/L,植物凝膠2.0~3.0g/L,?2,4-D?0.05~0.15mg/L,IAA?0.1~0.5mg/L,KT?0.05~0.15mg/L,并調pH值為5.8;
所述愈傷組織誘導培養基M2以MS為基本培養基,添加葡萄糖25~35g/L,植物凝膠2.0~3.0g/L,IAA?0.1~0.6?mg/L,KT?0.2~0.6mg/L,并調pH值為5.8;
所述分化培養基包括:硝酸鉀?1900?mg/L,硝酸鎂?320?mg/L,硝酸銨?250?mg/L,磷酸二氫鉀?170?mg/L,硫酸銨?220?mg/L,二水氯化鈣?400?mg/L,磷酸二氫鈉?40?mg/L,七水硫酸亞鐵?27.8?mg/L,乙二胺四乙酸二鈉?37.3?mg/L,六水氯化鈷?0.025?mg/L,五水硫酸銅0.025?mg/L,碘化鉀?0.83?mg/L,七水硫酸鋅?8.6?mg/L,硼酸?6.2?mg/L,四水硫酸錳?22.3mg/L,二水鉬酸鈉?0.25?mg/L,肌醇?100?mg/L,硫胺素?0.1?mg/L,鹽酸吡哆醇?0.5?mg/L,煙酸?0.5?mg/L,甘氨酸?2?mg/L,谷氨酰胺?1000?mg/L,天冬酰胺?500?mg/L,葡萄糖?30?g/L,IBA?0.2~0.6mg/L,KT?0.10~0.20mg/L,植物凝膠2.5~2.8?g/L,并調節pH值為5.9。
2.?根據權利要求1所述的一種以金銀花花藥為外植體的再生方法,其特征在于,所述生根培養基包括:硝酸鉀?950?mg/L,硝酸鎂?160?mg/L,硝酸銨?125?mg/L,磷酸二氫鉀?85mg/L,硫酸銨?110?mg/L,二水氯化鈣?200?mg/L,磷酸二氫鈉?20?mg/L,七水硫酸亞鐵?27.8mg/L,乙二胺四乙酸二鈉?37.3?mg/L,六水氯化鈷?0.025?mg/L,五水硫酸銅?0.025?mg/L,碘化鉀?0.83?mg/L,七水硫酸鋅?8.6?mg/L,硼酸?6.2?mg/L,四水硫酸錳?22.3?mg/L,二水鉬酸鈉?0.25?mg/L,肌醇?100?mg/L,硫胺素?0.1?mg/L,鹽酸吡哆醇?0.5?mg/L,煙酸?0.5mg/L,肌醇?100?mg/L,甘氨酸?2?mg/L,葡萄糖?30?g/L,植物凝膠2.0~3.0g/L,并調節pH值為5.9。
3.根據權利要求1所述的一種以金銀花花藥為外植體的再生方法,其特征在于,所述步驟S2獲取外植體和滅菌的方法為,取下金銀花枝條的花蕾,于0.1%的升汞溶液中滅菌處理后,經無菌水清洗至去除升汞,將花蕾放到滅菌的濾紙上,取出內部花藥,花藥為鵝黃色或黃綠色。
4.根據權利要求3所述的一種以金銀花花藥為外植體的再生方法,其特征在于,所述取下的花蕾呈棒狀,顏色為黃白或綠白色。
5.根據權利要求1所述的一種以金銀花花藥為外植體的再生方法,其特征在于,所述步驟S3胚性愈傷組織誘導為,將獲取的金銀花花藥接種到愈傷組織誘導培養基M1上,培養20天后繼代到愈傷組織誘導培養基M2上,每20天繼代1次,繼代培養2-3次直至產生胚性愈傷組織,胚性愈傷組織呈黃色、顆粒狀。
6.根據權利要求5所述的一種以金銀花花藥為外植體的再生方法,其特征在于,所述將金銀花花藥接種到愈傷組織誘導培養基M1的培養條件為:培養溫度24~26℃,暗光或弱光培養;繼代到愈傷組織誘導培養基M2的培養條件為,培養溫度24~26℃,光照時間每天10-12小時。
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