[發(fā)明專利]一種氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法、氧化鋯陶瓷蓋板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211616171.8 | 申請日： | 2022-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN115819121A | 公開（公告）日： | 2023-03-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄭鎮(zhèn)宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 潮州三環(huán)（集團）股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/91 | 分類號： | C04B41/91;H04M1/02;H04M1/18 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 齊鍵 |
| 地址： | 515646 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋯 陶瓷 表面 處理 方法 蓋板 | ||
1.一種氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)采用鐳雕工藝在氧化鋯陶瓷制品的表面激光刻蝕形成平行且等間距的第一層鐳雕線條；
2)采用鐳雕工藝在氧化鋯陶瓷制品的表面激光刻蝕形成平行且等間距的第二層鐳雕線條，第二層鐳雕線條和第一層鐳雕線條之間的夾角為90°；
3)采用鐳雕工藝在氧化鋯陶瓷制品的表面激光刻蝕形成平行且等間距的第三層鐳雕線條，第三層鐳雕線條和第二層鐳雕線條之間的夾角為45°；
4)采用鐳雕工藝在氧化鋯陶瓷制品的表面激光刻蝕形成平行且等間距的第四層鐳雕線條，第四層鐳雕線條和第三層鐳雕線條之間的夾角為90°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：所述激光刻蝕過程中激光光斑的大小為70μm～80μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：所述激光刻蝕過程中激光光斑的間距為35μm～40μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：所述激光刻蝕過程中激光的理論功率為20W～30W；所述激光刻蝕過程中激光的實際功率為理論功率的75％～85％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：所述激光刻蝕過程中激光頻率為25kHz～32kHz。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：所述激光刻蝕過程中激光延時為100mm/s～150mm/s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：步驟1)所述氧化鋯陶瓷制品進行過清洗處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法，其特征在于：步驟1)所述第一層鐳雕線條之間的間距為70μm～80μm；步驟2)所述第二層鐳雕線條之間的間距為70μm～80μm；步驟3)所述第三層鐳雕線條之間的間距為70μm～80μm；步驟4)所述第四層鐳雕線條之間的間距為70μm～80μm。
9.一種氧化鋯陶瓷蓋板，其特征在于，由權(quán)利要求1～8中任意一項所述的氧化鋯陶瓷表面啞光處理方法制成。
10.一種手機，其特征在于，采用的蓋板為權(quán)利要求9所述的氧化鋯陶瓷蓋板。
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