[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211613646.8
• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN115963989A
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高山;林志明
• 申請（專利權(quán)）人: 北京小米移動軟件有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京法勝知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11922
• 代理人: 黃海艷

本公開是關(guān)于一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制方法及裝置，涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器控制領(lǐng)域。其中，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM位于電子設(shè)備中的嵌入式閃存內(nèi)，該方法包括：確定電子設(shè)備的使用場景；根據(jù)使用場景，控制SRAM進(jìn)入讀取增強(qiáng)模式或?qū)懭朐鰪?qiáng)模式。本公開提出的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制方法，可根據(jù)電子設(shè)備的使用場景，控制SRAM進(jìn)入讀取增強(qiáng)模式或?qū)懭朐鰪?qiáng)模式，靈活調(diào)整SRAM中映射表緩沖區(qū)與寫入緩沖區(qū)的分配比例，優(yōu)化資源分配與讀取性能，可在一定程度上避免SRAM資源分配僵化及浪費(fèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器控制領(lǐng)域，尤其涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制方法及裝置。

背景技術(shù)

嵌入式閃存通過內(nèi)部的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM完成讀寫操作的緩沖，SRAM在讀寫操作中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在進(jìn)行寫入操作時，SRAM作為資料暫存空間用來暫存寫入資料；在進(jìn)行讀取操作時，透過預(yù)先載入SRAM中的物理位置映射表作為實(shí)際資料讀取位置的查詢。因此，對于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM的管理是整個讀寫過程中最為重要的部分之一。

發(fā)明內(nèi)容

為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本公開提供一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制方法及裝置。

根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制方法，所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM位于電子設(shè)備中的嵌入式閃存內(nèi)，所述方法包括：

確定所述電子設(shè)備的使用場景；

根據(jù)所述使用場景，控制所述SRAM進(jìn)入讀取增強(qiáng)模式或?qū)懭朐鰪?qiáng)模式。

在本公開一些實(shí)施例中，所述根據(jù)所述使用場景，控制所述SRAM進(jìn)入讀取增強(qiáng)模式或?qū)懭朐鰪?qiáng)模式，包括：確定所述使用場景的讀寫需求；響應(yīng)于所述讀寫需求為讀取需求大于寫入需求，控制所述SRAM進(jìn)入所述讀取增強(qiáng)模式；或者，響應(yīng)于所述讀寫需求為寫入需求大于讀取需求，控制所述SRAM進(jìn)入寫入增強(qiáng)模式。

在本公開一些實(shí)施例中，所述控制所述SRAM進(jìn)入所述讀取增強(qiáng)模式，包括：確定與所述使用場景對應(yīng)的第一應(yīng)用程序；根據(jù)所述第一應(yīng)用程序，確定所述SRAM的第一推薦分配比例，并根據(jù)所述第一推薦分配比例，調(diào)整所述SRAM中映射表緩沖區(qū)與寫入緩沖區(qū)的分配比例；其中，所述第一推薦分配比例中所述映射表緩沖區(qū)所占比例大于所述寫入緩沖區(qū)所占比例。

在本公開一些實(shí)施例中，所述控制所述SRAM進(jìn)入寫入增強(qiáng)模式，包括：確定與所述使用場景對應(yīng)的第二應(yīng)用程序；根據(jù)所述第二應(yīng)用程序，確定所述SRAM的第二推薦分配比例，并根據(jù)所述第二推薦分配比例，調(diào)整所述SRAM中映射表緩沖區(qū)與寫入緩沖區(qū)的分配比例；其中，所述第二推薦分配比例中所述映射表緩沖區(qū)所占比例小于所述寫入緩沖區(qū)所占比例。

在本公開一些實(shí)施例中，所述確定所述電子設(shè)備的使用場景，包括：確定所述電子設(shè)備當(dāng)前正在啟動的應(yīng)用程序；根據(jù)所述電子設(shè)備當(dāng)前正在啟動的應(yīng)用程序，確定所述電子設(shè)備的使用場景。

在本公開一些實(shí)施例中，所述根據(jù)所述使用場景，控制所述SRAM進(jìn)入讀取增強(qiáng)模式或?qū)懭朐鰪?qiáng)模式，包括：響應(yīng)于所述當(dāng)前正在啟動的應(yīng)用程序存在于預(yù)設(shè)的應(yīng)用程序列表，根據(jù)所述使用場景，控制所述SRAM進(jìn)入讀取增強(qiáng)模式或?qū)懭朐鰪?qiáng)模式。

在本公開一些實(shí)施例中，所述方法還包括：響應(yīng)于所述當(dāng)前正在啟動的應(yīng)用程序未存在于所述應(yīng)用程序列表，控制所述SRAM中映射表緩沖區(qū)與寫入緩沖區(qū)的分配比例保持原始分配比例；和/或，響應(yīng)于所述應(yīng)用程序處于第一狀態(tài)，控制所述SRAM中映射表緩沖區(qū)與寫入緩沖區(qū)的分配比例恢復(fù)成所述原始分配比例；其中，所述第一狀態(tài)為退出狀態(tài)或后臺運(yùn)行狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)。

根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面，提供一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的控制裝置，所述靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM位于電子設(shè)備中的嵌入式閃存內(nèi)，所示裝置包括：

確定模塊，用于確定所述電子設(shè)備的使用場景；