[發明專利]靜態隨機存取存儲器的控制方法及裝置

在審

• 申請號: 202211613646.8
• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN115963989A
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 高山;林志明
• 申請（專利權）人: 北京小米移動軟件有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京法勝知識產權代理有限公司 11922
• 代理人: 黃海艷

1.一種靜態隨機存取存儲器的控制方法，其特征在于，所述靜態隨機存取存儲器SRAM位于電子設備中的嵌入式閃存內，所述方法包括：

確定所述電子設備的使用場景；

根據所述使用場景，控制所述SRAM進入讀取增強模式或寫入增強模式。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述使用場景，控制所述SRAM進入讀取增強模式或寫入增強模式，包括：

確定所述使用場景的讀寫需求；

響應于所述讀寫需求為讀取需求大于寫入需求，控制所述SRAM進入所述讀取增強模式；或者，

響應于所述讀寫需求為寫入需求大于讀取需求，控制所述SRAM進入寫入增強模式。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述SRAM進入所述讀取增強模式，包括：

確定與所述使用場景對應的第一應用程序；

根據所述第一應用程序，確定所述SRAM的第一推薦分配比例，并根據所述第一推薦分配比例，調整所述SRAM中映射表緩沖區與寫入緩沖區的分配比例；其中，所述第一推薦分配比例中所述映射表緩沖區所占比例大于所述寫入緩沖區所占比例。

4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述控制所述SRAM進入寫入增強模式，包括：

確定與所述使用場景對應的第二應用程序；

根據所述第二應用程序，確定所述SRAM的第二推薦分配比例，并根據所述第二推薦分配比例，調整所述SRAM中映射表緩沖區與寫入緩沖區的分配比例；其中，所述第二推薦分配比例中所述映射表緩沖區所占比例小于所述寫入緩沖區所占比例。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定所述電子設備的使用場景，包括：

確定所述電子設備當前正在啟動的應用程序；

根據所述電子設備當前正在啟動的應用程序，確定所述電子設備的使用場景。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據所述使用場景，控制所述SRAM進入讀取增強模式或寫入增強模式，包括：

響應于所述當前正在啟動的應用程序存在于預設的應用程序列表，根據所述使用場景，控制所述SRAM進入讀取增強模式或寫入增強模式。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括：

響應于所述當前正在啟動的應用程序未存在于所述應用程序列表，控制所述SRAM中映射表緩沖區與寫入緩沖區的分配比例保持原始分配比例；和/或，

響應于所述應用程序處于第一狀態，控制所述SRAM中映射表緩沖區與寫入緩沖區的分配比例恢復成所述原始分配比例；其中，所述第一狀態為退出狀態或后臺運行狀態或關閉狀態。

8.一種靜態隨機存取存儲器的控制裝置，其特征在于，所述靜態隨機存取存儲器SRAM位于電子設備中的嵌入式閃存內，所述裝置包括：

確定模塊，用于確定所述電子設備的使用場景；

控制模塊，用于根據所述使用場景，控制所述SRAM進入讀取增強模式或寫入增強模式。

9.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊具體用于：

確定所述使用場景的讀寫需求；

響應于所述讀寫需求為讀取需求大于寫入需求，控制所述SRAM進入所述讀取增強模式；或者，

響應于所述讀寫需求為寫入需求大于讀取需求，控制所述SRAM進入寫入增強模式。

10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述控制模塊具體用于：

確定與所述使用場景對應的第一應用程序；

根據所述第一應用程序，確定所述SRAM的第一推薦分配比例，并根據所述第一推薦分配比例，調整所述SRAM中映射表緩沖區與寫入緩沖區的分配比例；其中，所述第一推薦分配比例中所述映射表緩沖區所占比例大于所述寫入緩沖區所占比例。