[發明專利]測量硅片徑向電阻均勻性的裝置及方法

在審

• 申請號: 202211613264.5
• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN116008660A
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 陳曦鵬;孫介楠;金花;樸星昱
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253
• 代理人: 沈寒酉;李斌棟

本發明實施例公開了一種測量硅片徑向電阻均勻性的裝置及方法；所述裝置包括：能夠旋轉的機械臂；設置于所述機械臂上的中心探針，所述中心探針用于測量待測硅片中心處的電阻；設置于所述機械臂上的至少一個邊緣探針，所述邊緣探針用于測量所述待測硅片邊緣處的電阻；數據處理單元，所述數據處理單元用于根據所述待測硅片中心的電阻與所述不同的邊緣去除量規格分別對應的多個所述目標邊緣測量點的電阻，計算獲得所述不同的邊緣去除量規格分別對應的所述待測硅片的徑向電阻均勻性。

技術領域

本發明實施例涉及硅片檢測技術領域，尤其涉及一種測量硅片徑向電阻均勻性的裝置及方法。

背景技術

單晶硅棒的拉制方法主要有直拉法和區熔法。而直拉法拉制得到的單晶硅棒由于其成本較低、品質良好因而得到廣泛地應用。隨著半導體電子器件的發展及市場競爭越來越激烈，單晶硅棒的品質越來越受到重視，尤其是徑向電阻均勻性。

目前，對于單晶硅棒的徑向電阻均勻性通常是將單晶硅棒切割成硅片后，采用四探針電阻測量法在硅片中心及邊緣附近選取4個測量點進行測量，上述邊緣附近4個測量點的選取是根據客戶提出的邊緣去除量(EE，Edge?Exclusion)規格要求，一般硅片邊緣附近的4個點選取在距離硅片邊緣1mm～5mm處，但是不同客戶對于邊緣去除量規格的要求也不盡相同，因此在針對不同客戶提出的邊緣去除量規格要求進行徑向電阻均勻性測量時，需要重新選取硅片樣品，并根據客戶提出的邊緣去除量規格要求重新測量徑向電阻均勻性，不僅造成了測量成本增加，還增加了測量次數，時間成本高。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例期望提供一種測量硅片徑向電阻均勻性的裝置及方法；能夠利用一個硅片樣品完成不同的邊緣去除量規格對應的徑向電阻均勻性的測量，降低了測量成本，同時減少了測量次數，節約了時間成本。

本發明實施例的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本發明實施例提供了一種測量硅片徑向電阻均勻性的裝置，所述裝置包括：

能夠旋轉的機械臂；

設置于所述機械臂上的中心探針，所述中心探針用于測量待測硅片中心處的電阻；

設置于所述機械臂上的至少一個邊緣探針，所述邊緣探針用于測量所述待測硅片邊緣處的電阻；其中，不同的邊緣去除量規格相對應的所述待測硅片邊緣上目標邊緣測量點的電阻能夠通過位于所述目標邊緣測量點對應位置處的所述邊緣探針進行測量；

其中，隨著所述機械臂按照設定的角度旋轉，所述邊緣探針能夠依次測量得到所述不同的邊緣去除量規格相對應的所述待測硅片邊緣上多個所述目標邊緣測量點的電阻；

數據處理單元，所述數據處理單元用于根據所述待測硅片中心的電阻與所述不同的邊緣去除量規格分別對應的多個所述目標邊緣測量點的電阻，計算獲得所述不同的邊緣去除量規格分別對應的所述待測硅片的徑向電阻均勻性。

第二方面，本發明實施例提供了一種測量硅片徑向電阻均勻性的方法，所述方法能夠應用于第一方面所述的裝置，所述方法包括：

利用設置在機械臂上的中心探針測量待測硅片中心處的電阻；

利用設置在所述機械臂上的邊緣探針測量不同的邊緣去除量規格相對應的所述待測硅片邊緣上目標邊緣測量點的電阻；

旋轉所述機械臂以使得所述邊緣探針能夠依次測量得到所述不同的邊緣去除量規格相對應的所述待測硅片邊緣上多個所述目標邊緣測量點的電阻；

根據所述待測硅片中心的電阻與所述不同的邊緣去除量規格分別對應的多個所述目標邊緣測量點的電阻，計算獲得所述不同的邊緣去除量規格分別對應的所述待測硅片的徑向電阻均勻性。