[發明專利]一種存儲器及電子設備

在審

• 申請號: 202211613040.4
• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN116072161A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 李卓;馮煊;韓承佑;張慧;劉立偉;楊明;張定昌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C5/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 丁睿

1.一種存儲器，其特征在于，所述存儲器包括多個存儲單元，所述存儲單元包括：襯底基板，位于所述襯底基板一側的存儲電路和傳輸電路；所述傳輸電路與所述存儲電路電連接；

所述存儲電路用于存儲數據；所述傳輸電路用于向所述存儲電路寫入數據或從所述存儲電路讀取數據；

所述傳輸電路與所述存儲電路堆疊設置；

所述傳輸電路在所述襯底基板的正投影與所述存儲電路在所述襯底基板的正投影具有交疊。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲電路包括：第一反相器和第二反相器，所述傳輸電路包括：第一晶體管和第二晶體管；

所述第一晶體管在所述襯底基板的正投影位于所述第一反相器在所述襯底基板的正投影內；

所述第二晶體管在所述襯底基板的正投影位于所述第二反相器在所述襯底基板的正投影內。

3.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述第一反相器包括：第三晶體管和第四晶體管；所述第二反相器包括：第五晶體管和第六晶體管；

所述第三晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極電連接，所述第三晶體管的漏極與所述第四晶體管的源極電連接；所述第五晶體管的柵極與所述第六晶體管的柵極電連接，所述第五晶體管的漏極與所述第六晶體管的源極電連接；所述第三晶體管的源極與所述第五晶體管的源極電連接，所述第四晶體管的漏極與所述第六晶體管的漏極電連接；

所述第一晶體管的漏極與所述第三晶體管的漏極、所述第四晶體管的源極、所述第五晶體管的柵極、所述第六晶體管的柵極電連接；

所述第二晶體管的漏極與所述第五晶體管的漏極、所述第六晶體管的源極、所述第三晶體管的柵極、所述第四晶體管的柵極電連接；

所述第一晶體管在所述襯底基板的正投影位于所述第三晶體管在所述襯底基板的正投影內；

所述第二晶體管在所述襯底基板的正投影位于所述第五晶體管在所述襯底基板的正投影內。

4.根據權利要求3所述的存儲器，其特征在于，所述第一晶體管位于所述第三晶體管的柵極背離所述襯底基板的一側；所述第一晶體管在所述襯底基板的正投影位于所述第三晶體管的源極和漏極在所述襯底基板的正投影之間的區域；

所述第二晶體管位于所述第五晶體管的柵極背離所述襯底基板的一側；所述第二晶體管在所述襯底基板的正投影位于所述第五晶體管的源極和漏極在所述襯底基板的正投影之間的區域。

5.根據權利要求4所述的存儲器，其特征在于，所述第一晶體管的源極和漏極與所述第三晶體管的源極和漏極同層設置；

所述第二晶體管的源極和漏極與所述第五晶體管的源極和漏極同層設置。

6.根據權利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述第一晶體管的源極和漏極與所述第二晶體管的源極和漏極同層設置，所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極同層設置，所述第一晶體管的有源層與所述第二晶體管的有源層同層設置；

所述第三晶體管的源極和漏極、所述第四晶體管的源極和漏極、所述第五晶體管的源極和漏極以及所述第六晶體管的源極和漏極同層設置，所述第三晶體管的柵極、所述第四晶體管的柵極、所述第五晶體管的柵極以及所述第六晶體管的柵極同層設置，所述第三晶體管的有源層、所述第四晶體管的有源層、所述第五晶體管的有源層以及所述第六晶體管的有源層同層設置。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述第一晶體管的有源層的材料和所述第二晶體管的有源層的材料包括氧化物半導體；

所述第三晶體管的有源層的材料、所述第四晶體管的有源層的材料、所述第五晶體管的有源層的材料以及所述第六晶體管的有源層的材料包括低溫多晶硅。