[發(fā)明專利]一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備裝置及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211611460.9
• 申請(qǐng)日: 2022-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN115876550A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張夢(mèng)珍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/28
• 分類號(hào): G01N1/28
• 代理公司: 西安維英格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61253
• 代理人: 沈寒酉;李斌棟

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備裝置及方法；所述制備裝置包括：透明狀的密封箱體；設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)的多個(gè)液體容納單元，包括待測(cè)液體罐以及定容液體罐；設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)用于承托容器；設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)的定量溶液提取單元，所述定量溶液提取單元用于分別從多個(gè)所述液體容納單元中提取設(shè)定體積的液體至所述容器中；設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)且位于所述承載臺(tái)下方的加熱單元，所述加熱單元用于對(duì)盛裝有待測(cè)液體的容器進(jìn)行加熱以蒸發(fā)除去所述容器中的液體。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及硅片檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備裝置及方法。

背景技術(shù)

自固體元器件誕生以后，在半導(dǎo)體微電子器件制作過程中，硅片襯底表面清潔的重要性就已被認(rèn)知。硅器件的性能，穩(wěn)定性及電路的成品率受硅片表面金屬雜質(zhì)污染的影響極大。當(dāng)前由于半導(dǎo)體表面的極度敏感性和器件亞微米的尺寸特征，使得對(duì)原始硅片的有效清潔的要求越來越高。對(duì)于當(dāng)前硅片的要求準(zhǔn)確的來說，總金屬污染要少于10¹⁰個(gè)/cm²，尺寸大于0.1μm的顆粒，在每平方厘米上小于0.1個(gè)，即8英寸硅片上，顆粒數(shù)目要求小于30個(gè)。

目前，對(duì)硅片表面金屬雜質(zhì)的檢測(cè)過程包括：使用SC-1清洗液和SC-2清洗液對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗，以使硅片表面的金屬雜質(zhì)沉積到清洗液中，再將含有金屬雜質(zhì)的清洗液蒸發(fā)至干，經(jīng)定容后，用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀測(cè)定其中的金屬雜質(zhì)含量。但是傳統(tǒng)的SC-1清洗液以及SC-2清洗液的成分主要為氨水和過氧化氫，因此在對(duì)含有金屬雜質(zhì)的清洗液進(jìn)行蒸發(fā)至干的過程中氨氣會(huì)揮發(fā)，揮發(fā)的氨氣對(duì)工藝人員的身體健康造成嚴(yán)重?fù)p傷。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例期望提供一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備裝置及方法；能夠自動(dòng)或半自動(dòng)對(duì)含有金屬雜質(zhì)的清洗液進(jìn)行定容以得到用于檢測(cè)硅片表面金屬離子含量的樣品，降低了人工參與的同時(shí)，避免了工藝人員安全問題的發(fā)生。

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備裝置，所述制備裝置包括：

透明狀的密封箱體；

設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)的多個(gè)液體容納單元，包括待測(cè)液體罐以及定容液5體罐；

設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)用于承托容器；

設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)的定量溶液提取單元，所述定量溶液提取單元用于分別從多個(gè)所述液體容納單元中提取設(shè)定體積的液體至所述容器中；

設(shè)置于所述密封箱體內(nèi)且位于所述承載臺(tái)下方的加熱單元，所述加熱單元0用于對(duì)盛裝有待測(cè)液體的容器進(jìn)行加熱以蒸發(fā)除去所述容器中的液體。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備方法，所述制備方法能夠應(yīng)用于第一方面所述的制備裝置，所述制備方法包括：

通過定量溶液提取單元從待測(cè)液體罐中吸取設(shè)定體積的含有金屬雜質(zhì)的清5洗液至容器中；

利用加熱單元對(duì)所述容器中的液體進(jìn)行加熱至蒸發(fā)除去；

利用所述定量溶液提取單元從所述定容液體罐中吸取設(shè)定量的定容液體至所述容器中進(jìn)行定容以得到用于硅片表面金屬離子含量檢測(cè)的樣品。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于硅片表面金屬離子檢測(cè)樣品的制備裝置及方0法；為了獲得硅片表面的金屬離子含量，在本發(fā)明實(shí)施例中將硅片清洗后的含有金屬雜質(zhì)的清洗液裝入待測(cè)液體容納罐中，并及時(shí)將密封箱體進(jìn)行密封，隨后通過定量溶液提取單元吸取待測(cè)液體容納罐中設(shè)定體積的待測(cè)液體至容器中，并通過加熱單元對(duì)容器中的清洗液加熱至蒸發(fā)除去，在蒸發(fā)除去后的殘?jiān)屑尤攵康亩ㄈ菀后w以定容得到可用于硅片表面金屬離子含量檢測(cè)的樣品。

5附圖說明