[發(fā)明專利]光掩膜版的缺陷識(shí)別方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211611313.1
• 申請(qǐng)日: 2022-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN115877654A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊劉標(biāo)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州富芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/84
• 分類號(hào): G03F1/84;G03F7/20
• 代理公司: 北京樂知新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11734
• 代理人: 周偉

本申請(qǐng)公開了一種光掩膜版缺陷識(shí)別方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，其中所述方法包括：對(duì)目標(biāo)光掩膜版進(jìn)行圖案掃描，得到目標(biāo)光掩膜版上各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度；其中所述目標(biāo)光掩膜版上的圖案是對(duì)原光掩膜版上的圖案中對(duì)應(yīng)于曝光單元的不同行或不同列的圖案以不同的曝光能量進(jìn)行曝光而得到；基于各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，得到目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息；基于目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息，得到原光掩模版的缺陷信息。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光掩膜版缺陷識(shí)別方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

在晶圓制造過程中，光罩(也稱為光掩膜版)的使用是必不可少的。在使用過程中，受芯片加工的無(wú)塵(Fab)環(huán)境以及在機(jī)臺(tái)間運(yùn)轉(zhuǎn)的影響，光掩膜版上產(chǎn)生一定的缺陷。如，沉積霧狀顆粒(Haze)、自身產(chǎn)生損壞等。光掩膜版的這種缺陷會(huì)導(dǎo)致需要光刻的電路圖案的殘留，最終會(huì)影響晶圓生產(chǎn)的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光掩膜版缺陷識(shí)別方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上技術(shù)問題。

根據(jù)本申請(qǐng)的第一方面，提供了一種光掩膜版的缺陷識(shí)別方法，包括：

對(duì)目標(biāo)光掩膜版進(jìn)行圖案掃描，得到目標(biāo)光掩膜版上各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度；其中所述目標(biāo)光掩膜版上的圖案是對(duì)原光掩膜版上的圖案中對(duì)應(yīng)于曝光單元的不同行或不同列的圖案以不同的曝光能量進(jìn)行曝光而得到；

基于各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，得到目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息；

基于目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息，得到原光掩模版的缺陷信息。

在一可實(shí)施方式中，所述基于各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，得到目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息，包括：對(duì)于所述各目標(biāo)區(qū)域中的任意一個(gè)目標(biāo)區(qū)域；基于所述任意一個(gè)目標(biāo)區(qū)域和與其相鄰的至少一個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，從所述各個(gè)目標(biāo)區(qū)域中，確定出目標(biāo)光掩膜版的缺陷區(qū)域；將所述缺陷區(qū)域作為所述目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息。

在一可實(shí)施方式中，所述基于各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，得到目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息，包括：將各目標(biāo)區(qū)域劃分為多個(gè)子區(qū)域；基于第一目標(biāo)區(qū)域的各子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度和與第一目標(biāo)區(qū)域相鄰的至少一個(gè)第二目標(biāo)區(qū)域的各子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，從各目標(biāo)區(qū)域的各子區(qū)域中，確定出目標(biāo)光掩膜版的缺陷區(qū)域；其中所述第一目標(biāo)區(qū)域?yàn)樗龈髂繕?biāo)區(qū)域中的任意一個(gè)區(qū)域；將所述缺陷區(qū)域作為所述目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息。

在一可實(shí)施方式中，所述各目標(biāo)區(qū)域包括第一類區(qū)域；如果第一類區(qū)域中存在一子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度大于與所述第一類區(qū)域相鄰的一第二目標(biāo)區(qū)域的對(duì)應(yīng)子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度、且所述子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度和所述對(duì)應(yīng)子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度之差大于或等于第一強(qiáng)度閾值，則確定所述第一類區(qū)域中存在的所述子區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)光掩膜版的缺陷區(qū)域。

在一可實(shí)施方式中，所述各目標(biāo)區(qū)域包括第二類區(qū)域；如果第二類區(qū)域中存在一子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度和與所述第二類區(qū)域相鄰的兩個(gè)或多個(gè)第二目標(biāo)區(qū)域中每個(gè)第二目標(biāo)區(qū)域的對(duì)應(yīng)子區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度的差值的絕對(duì)值均大于或等于第二強(qiáng)度閾值，則確定所述第二類區(qū)域中存在的所述子區(qū)域?yàn)樗瞿繕?biāo)光掩膜版的缺陷區(qū)域。

在一可實(shí)施方式中，所述基于目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息，得到原光掩模版的缺陷信息，包括：將目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息作為原光掩模版的缺陷信息。

根據(jù)本申請(qǐng)的第二方面，提供了一種光掩膜版的缺陷識(shí)別裝置，包括：

第一獲得單元，用于對(duì)目標(biāo)光掩膜版進(jìn)行圖案掃描，得到目標(biāo)光掩膜版上各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度；其中所述目標(biāo)光掩膜版上的圖案至少是對(duì)原光掩膜版上的圖案中對(duì)應(yīng)于曝光單元的不同行的圖案以不同的曝光能量進(jìn)行曝光而得到；所述目標(biāo)光掩膜版上的各目標(biāo)區(qū)域與所述曝光單元的各子單元對(duì)應(yīng)，且所述目標(biāo)光掩膜版上對(duì)應(yīng)于曝光單元的不同行的目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度不同；

第二獲得單元，用于基于各個(gè)目標(biāo)區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度，得到目標(biāo)光掩膜版的缺陷信息；