[發明專利]半導體器件有效
| 申請號: | 202211602574.7 | 申請日: | 2022-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN116388706B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | 張亮;李秉緯;黃斌;陳凱 | 申請(專利權)人: | 無錫前諾德半導體有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/56 | 分類號: | H03F1/56 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 崔瑩 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市無錫經*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
本發明提供一種半導體器件,包括:第一裸晶片和第二裸晶片,所述第一裸晶片上形成有運放模塊,所述第二裸晶片上形成有電阻網絡模塊,所述運放模塊接收外部輸入的第一電壓和外部輸入的第二電壓,通過與可動態調節阻值的所述電阻網絡模塊的配合完成運算放大,向后級電路輸出一調節電壓。本申請通過將電阻網絡模塊和運放模塊分別設計在不同裸晶片上,再通過鍵合使所述電阻網絡模塊嵌于所述運放模塊中,可以在不配置整體運放進行測試的情況下,單獨對所述第二裸晶片上的電阻網絡模塊進行激光修調,通過簡單的電阻測量工藝、激光切割工藝將述第二裸晶片上的電阻網絡模塊的電阻值修調為期望的阻值,優化了運放的修調模式,簡化了修調流程,縮短了修調時間。
技術領域
本發明涉及集成電路技術領域,特別涉及一種半導體器件。
背景技術
現有的儀表放大器一般是通過內部的高精度高匹配電阻網絡實現高共模抑制比和精確的可調增益。
目前典型儀表放大器采用特殊的薄膜電阻工藝配合在線的電阻修調方式來獲得高精度高匹配電阻。這類方法目前在實現上存在下列兩個問題:
首先,工藝流程中必須具備薄膜電阻工藝選項,該流程僅限于極個別的高性能模擬工藝中,在普通的工藝中集成該工藝難度大,研發周期長;
其次,激光修調過程復雜,需要在線實時測試用激光在薄膜電阻上進行在線切割,從而獲得精準的阻值,實現高精度與高匹配,整個工藝流程時間長,流程復雜。
發明內容
本發明的目的在于提供一種半導體器件,以解決目前儀表放大器的電阻修調工藝難度大、修調過程復雜等問題中的至少一個問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種半導體器件,包括:第一裸晶片和第二裸晶片,所述第二裸晶片鍵合在所述第一裸晶片上;其中,所述第一裸晶片上形成有運放模塊,所述第二裸晶片上形成有電阻網絡模塊,所述電阻網絡模塊通過多個電路節點的鍵合連接嵌于所述運放模塊中;
其中,所述運放模塊被配置為:
所述運放模塊接收外部輸入的第一電壓和外部輸入的第二電壓,通過與外部接入的第一電阻和和可動態調節阻值的所述電阻網絡模塊的配合完成運算放大,向后級電路輸出一調節電壓。
可選的,在所述半導體器件中,所述電阻網絡模塊包括:第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻和第七電阻,其中,
所述第二電阻、所述第四電阻和所述第六電阻依次串聯,所述第三電阻、所述第五電阻和所述第七電阻依次串聯,遠離所述第四電阻的所述第二電阻的一端形成有第一電路節點,遠離所述第五電阻的所述第三電阻的一端形成有第二電路節點,所述第二電阻和所述第四電阻之間形成有第三電路節點,所述第三電阻和所述第五電阻之間形成有第四電路節點,所述第四電阻和所述第六電阻之間形成有第五電路節點,所述第五電阻和所述第七電阻之間形成有第六電路節點,遠離所述第四電阻的所述第六電阻的一端形成有第七電路節點,遠離所述第五電阻的所述第七電阻的一端接外部的地端。
可選的,在所述半導體器件中,所述運放模塊包括:第一放大器、第二放大器和第三放大器,其中,所述第一放大器的第一輸入端接收外部輸入的第一電壓,所述第一放大器的第二輸入端連接所述第一電路節點,所述第一放大器的輸出端連接所述第三電路節點;所述第二放大器的第一輸入端接收外部輸入的第二電壓,所述第二放大器的第二輸入端連接所述第二電路節點,所述第二放大器的輸出端連接所述第四電路節點;所述第三放大器的第一輸入端連接所述第五電路節點,所述第三放大器的第二輸入端連接所述第六電路節點,所述第三放大器的輸出端連接所述第七電路節點并向后級電路輸出所述調節電壓。
可選的,在所述半導體器件中,所述第二電阻的阻值與所述第三電阻的阻值相同。
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