[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 202211602574.7
• 申請日: 2022-12-13
• 公開（公告）號: CN116388706B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 張亮;李秉緯;黃斌;陳凱
• 申請（專利權）人: 無錫前諾德半導體有限公司
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 崔瑩

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：第一裸晶片和第二裸晶片，所述第二裸晶片鍵合在所述第一裸晶片上；其中，所述第一裸晶片上形成有運放模塊，所述第二裸晶片上形成有電阻網絡模塊，所述電阻網絡模塊通過多個電路節點的鍵合連接嵌于所述運放模塊中；其中，所述運放模塊被配置為：

所述運放模塊接收外部輸入的第一電壓和外部輸入的第二電壓，通過與外部接入的第一電阻和可動態調節阻值的所述電阻網絡模塊的配合完成運算放大，向后級電路輸出一調節電壓。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電阻網絡模塊包括：第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻和第七電阻，其中，所述第二電阻、所述第四電阻和所述第六電阻依次串聯，所述第三電阻、所述第五電阻和所述第七電阻依次串聯，遠離所述第四電阻的所述第二電阻的一端形成有第一電路節點，遠離所述第五電阻的所述第三電阻的一端形成有第二電路節點，所述第二電阻和所述第四電阻之間形成有第三電路節點，所述第三電阻和所述第五電阻之間形成有第四電路節點，所述第四電阻和所述第六電阻之間形成有第五電路節點，所述第五電阻和所述第七電阻之間形成有第六電路節點，遠離所述第四電阻的所述第六電阻的一端形成有第七電路節點，遠離所述第五電阻的所述第七電阻的一端接外部的地端。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述運放模塊包括：第一放大器、第二放大器和第三放大器，其中，

所述第一放大器的第一輸入端接收外部輸入的第一電壓，所述第一放大器的第二輸入端連接所述第一電路節點，所述第一放大器的輸出端連接所述第三電路節點；所述第二放大器的第一輸入端接收外部輸入的第二電壓，所述第二放大器的第二輸入端連接所述第二電路節點，所述第二放大器的輸出端連接所述第四電路節點；所述第三放大器的第一輸入端連接所述第五電路節點，所述第三放大器的第二輸入端連接所述第六電路節點，所述第三放大器的輸出端連接所述第七電路節點并向后級電路輸出所述調節電壓。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第二電阻的阻值與所述第三電阻的阻值相同。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，通過電阻測量獲取所述第四電阻、所述第五電阻、所述第六電阻和所述第七電阻的阻值；根據所述第四電阻、所述第五電阻、所述第六電阻和所述第七電阻的阻值，利用激光切割工藝調節所述第四電阻、所述第五電阻、所述第六電阻和所述第七電阻中至少一個電阻的導電截面積，以調節所述第四電阻、所述第五電阻、所述第六電阻和所述第七電阻中至少一個電阻的阻值。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第四電阻的阻值、所述第五電阻的阻值、所述第六電阻的阻值和所述第七電阻的阻值均相同。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件的電壓增益的計算公式為：

其中，G為所述半導體器件的電壓增益，r₁為所述第一電阻的阻值，r₂為所述第二電阻的阻值，r₃為所述第三電阻的阻值。

8.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第二裸晶片中形成多個填充金屬材料的接觸孔，所述第一電路節點、所述第二電路節點、所述第三電路節點、所述第四電路節點、所述第五電路節點、所述第六電路節點和所述第七電路節點分別對應一個所述接觸孔，通過所述接觸孔，所述第一電路節點、所述第二電路節點、所述第三電路節點、所述第四電路節點、所述第五電路節點、所述第六電路節點和所述第七電路節點分別引出至與所述第一裸晶片鍵合的所述第二裸晶片的背面。