[發明專利]光刻膠剝離液在審
| 申請號: | 202211601957.2 | 申請日: | 2022-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN115981119A | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 李恩慶 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/42 | 分類號: | G03F7/42 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻 剝離 | ||
本發明實施例提供一種光刻膠剝離液,該光刻膠剝離液包括膨脹劑、滲透劑、溶解劑、pH抑制劑以及腐蝕抑制劑,且膨脹劑的質量百分比含量為30%?60%,溶解劑的質量百分比含量為40%?60%,滲透劑的質量百分比含量為0.5%?8%,pH抑制劑的質量百分比含量為0.01%?2%,腐蝕抑制劑的質量百分比含量為0.001%?2%。光刻膠剝離液在剝離過程中,其剝離效果較好,同時,光刻膠剝離液還可多次再生重復利用,從而有效的提高了光刻膠剝離液的再生良率,并降低了生產成本。
技術領域
本發明涉及顯示面板行業電子化學品技術領域,尤其涉及一種光刻膠剝離液。
背景技術
隨著顯示面板制備技術的不斷發展,人們對顯示面板及裝置的各種性能均提出了更高的要求。
現有技術中,在制備形成顯示面板時,需要采用多種不同的工藝以得到不同膜層,如通常需要使用光刻工藝進行光刻處理。現有技術中,光刻膠為光刻工藝中必備的物質,光刻工藝(photo-lithography?processing)處理后,需要對多余的光刻膠進行去除,在去除時一般在高溫條件下進行,而在這種高溫下,隨著光刻膠被去除的同時,該光刻膠下層的金屬膜會在高溫下出現加速腐蝕的問題。進而對下方的金屬層造成損壞,降低了顯示面板內金屬走線的質量及安全性能。現有技術中,常用的光刻膠剝離液為水溶性有機胺,如伽瑪-丁內酯、DMSO等有機溶劑。但是上述光刻膠剝離液組成物剝離效果不理想且容易在對光刻膠剝離的同時造成金屬走線的腐蝕,循環利用率較低。不利于顯示面板綜合性能的進一步提高。
綜上所述,現有技術中在光刻膠剝離工藝中使用的光刻膠剝離液,還存在著剝離效果不理想,循環利用率低且容易在剝離的同時,對下層的金屬層造成嚴重的腐蝕,降低了顯示面板的可靠性。
發明內容
本發明實施例提供一種光刻膠剝離液。以有效的改善現有的光刻剝離工藝中采用的剝離液剝離效果不理想,循環利用率低且容易對金屬層造成嚴重腐蝕的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種光刻膠剝離液,包括:
膨脹劑、滲透劑、溶解劑、pH抑制劑以及腐蝕抑制劑;
其中,所述膨脹劑的質量百分比含量為30%-60%,所述溶解劑的質量百分比含量為40%-60%,所述滲透劑的質量百分比含量為0.5%-8%,所述pH抑制劑的質量百分比含量為0.01%-2%,所述腐蝕抑制劑的質量百分比含量為0.001%-2%。
根據本發明一實施例,所述膨脹劑為非質子極性溶劑。
根據本發明一實施例,所述非質子極性溶劑包括:吡咯烷酮化合物、咪唑啉酮化合物,內酯化合物、硫氧化合物,含磷化合物,碳酸鹽化合物、等酰胺化合物中的至少一種。
根據本發明一實施例,所述吡咯烷酮化合物包括:N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮中的至少一種;
所述咪唑啉酮化合物包括:1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二甲基咪唑啉酮中的至少一種;
所述內酯化合物包括:γ-丁內酯;
所述硫氧化合物包括:二甲基亞砜、四氫噻吩-1,1-二氧化物中的至少一種;
所述含磷化合物包括:磷酸三乙酯、磷酸三丁酯中的至少一種,所述碳酸鹽化合物包括碳酸二甲酯、碳酸亞乙酯中的至少一種;
所述酰胺化合物包括:甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰基乙酰胺、N-乙酰乙醇胺、N,N-二甲基乙酰胺、3-甲氧基-N、N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己氧基)丙胺、N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺中的至少一種。
根據本發明一實施例,所述吡咯烷酮化合物包括:N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮中的至少一種;
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