[發(fā)明專利]芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211563713.X
• 申請(qǐng)日: 2022-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115629296B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜嘉歡;張超;劉世軍;郭建璞;王英華;張磊;呂林君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中科聲龍科技發(fā)展（北京）有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 季永杰

本發(fā)明提供了一種芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，所述芯片測(cè)試方法包括：對(duì)芯片進(jìn)行容量測(cè)試，并獲得芯片的容量測(cè)試結(jié)果；對(duì)通過(guò)容量測(cè)試的芯片進(jìn)行第一測(cè)試，獲得第一測(cè)試結(jié)果，其中，第一測(cè)試結(jié)果包括存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息；對(duì)于未通過(guò)第一測(cè)試的芯片，基于存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息，確定異常存儲(chǔ)塊；對(duì)未通過(guò)第一測(cè)試的芯片，關(guān)閉芯片中至少一部分異常存儲(chǔ)塊，并進(jìn)行第二測(cè)試，獲得第二測(cè)試的結(jié)果。通過(guò)芯片的容量測(cè)試，初步篩選出符合條件的芯片，減少了后續(xù)需要進(jìn)行測(cè)試的芯片的數(shù)量，節(jié)約了測(cè)試時(shí)間，降低了測(cè)試成本。對(duì)通過(guò)容量測(cè)試的芯片進(jìn)行第一測(cè)試和第二測(cè)試可以篩選出符合用戶需求的芯片，在一定程度上提高芯片的良率和穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及測(cè)試領(lǐng)域，更具體地，涉及一種芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，芯片的集成度越來(lái)越高，單個(gè)芯片的成本也隨之增加。每個(gè)芯片都可以包含多個(gè)算術(shù)邏輯單元（Arithmetic and Logic Unit，簡(jiǎn)稱ALU）和存儲(chǔ)塊（bank），用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與計(jì)算。芯片的算力是指芯片單位時(shí)間處理數(shù)據(jù)的能力，算力越高，單位時(shí)間處理數(shù)據(jù)的量越大，因此，芯片的算力成為芯片的核心評(píng)價(jià)指標(biāo)之一。示例性地，工作量證明（Proof of Work ,簡(jiǎn)稱POW）是用戶進(jìn)行一些適當(dāng)耗時(shí)的復(fù)雜運(yùn)算并得到答案，并且答案能被服務(wù)方快速驗(yàn)算。

因此，對(duì)芯片出廠前進(jìn)行測(cè)試，保證芯片的良率，減少成本的浪費(fèi)是亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式提供了可至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題的芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供一種芯片測(cè)試方法，所述芯片包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，所述芯片測(cè)試方法可包括：對(duì)所述芯片進(jìn)行容量測(cè)試，并獲得所述芯片的容量測(cè)試結(jié)果；對(duì)通過(guò)所述容量測(cè)試的芯片進(jìn)行第一測(cè)試，獲得第一測(cè)試結(jié)果，其中，所述第一測(cè)試結(jié)果包括所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息；對(duì)于未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片，基于所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息，確定異常存儲(chǔ)塊；對(duì)未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片，關(guān)閉所述芯片中至少一部分所述異常存儲(chǔ)塊，并進(jìn)行第二測(cè)試，獲得所述第二測(cè)試的結(jié)果。

在本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施方式中，所述芯片的容量測(cè)試可包括：獲取多個(gè)所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息；基于所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息確定所述芯片的存儲(chǔ)容量；對(duì)所述芯片的存儲(chǔ)容量進(jìn)行判斷，若所述芯片的存儲(chǔ)容量超過(guò)存儲(chǔ)容量的預(yù)定值，則所述芯片通過(guò)所述容量測(cè)試。

在本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一測(cè)試可包括：對(duì)通過(guò)所述容量測(cè)試的所述芯片進(jìn)行所述第一測(cè)試，并獲得第一拒絕率以及所述芯片的第一測(cè)試時(shí)間；對(duì)所述芯片的第一測(cè)試時(shí)間和所述第一拒絕率進(jìn)行判斷，若所述第一測(cè)試時(shí)間小于或者等于所述第一測(cè)試時(shí)間的閾值且所述第一拒絕率小于或者等于所述第一拒絕率的閾值，則所述芯片通過(guò)所述第一測(cè)試。

在本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一測(cè)試還可包括：獲取每個(gè)所述存儲(chǔ)塊的第一測(cè)試時(shí)間，并基于所述存儲(chǔ)塊的第一測(cè)試時(shí)間確定異常的所述存儲(chǔ)塊。

在本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二測(cè)試可包括：對(duì)未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片進(jìn)行所述第二測(cè)試，并獲得第二拒絕率以及所述芯片的第二測(cè)試時(shí)間；對(duì)所述第二測(cè)試時(shí)間和所述第二拒絕率進(jìn)行判斷，若所述第二測(cè)試時(shí)間小于或者等于所述第二測(cè)試時(shí)間的閾值且所述第二拒絕率小于或者等于所述第二拒絕率的閾值，則所述芯片通過(guò)所述第二測(cè)試。

在本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一測(cè)試和所述第二測(cè)試為模擬環(huán)境測(cè)試，其中，所述模擬環(huán)境測(cè)試可包括：所述芯片接收測(cè)試任務(wù)，并獲得測(cè)試結(jié)果；基于所述測(cè)試結(jié)果獲得所述測(cè)試任務(wù)的拒絕率。