[發(fā)明專利]芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211563713.X | 申請(qǐng)日: | 2022-12-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115629296B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜嘉歡;張超;劉世軍;郭建璞;王英華;張磊;呂林君 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中科聲龍科技發(fā)展(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 季永杰 |
| 地址: | 100083 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 測(cè)試 方法 裝置 設(shè)備 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種芯片測(cè)試方法,其特征在于,所述芯片包括多個(gè)存儲(chǔ)塊,所述芯片測(cè)試方法包括:
對(duì)所述芯片進(jìn)行容量測(cè)試,并獲得所述芯片的容量測(cè)試結(jié)果;
對(duì)通過(guò)所述容量測(cè)試的芯片進(jìn)行第一測(cè)試,獲得第一測(cè)試結(jié)果,其中,所述第一測(cè)試結(jié)果包括所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息;
對(duì)于未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片,基于所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息,確定異常存儲(chǔ)塊;
對(duì)未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片,關(guān)閉所述芯片中至少一部分所述異常存儲(chǔ)塊,并進(jìn)行第二測(cè)試,獲得所述第二測(cè)試的結(jié)果;
其中,所述第一測(cè)試包括:對(duì)通過(guò)所述容量測(cè)試的所述芯片進(jìn)行所述第一測(cè)試,并獲得第一拒絕率以及所述芯片的第一測(cè)試時(shí)間;對(duì)所述芯片的第一測(cè)試時(shí)間和所述第一拒絕率進(jìn)行判斷,若所述第一測(cè)試時(shí)間小于或者等于所述第一測(cè)試時(shí)間的閾值且所述第一拒絕率小于或者等于所述第一拒絕率的閾值,則所述芯片通過(guò)所述第一測(cè)試;
所述第二測(cè)試包括:對(duì)未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片進(jìn)行所述第二測(cè)試,并獲得第二拒絕率以及所述芯片的第二測(cè)試時(shí)間;對(duì)所述第二測(cè)試時(shí)間和所述第二拒絕率進(jìn)行判斷,若所述第二測(cè)試時(shí)間小于或者等于所述第二測(cè)試時(shí)間的閾值且所述第二拒絕率小于或者等于所述第二拒絕率的閾值,則所述芯片通過(guò)所述第二測(cè)試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試方法,其特征在于,所述容量測(cè)試包括:
獲取多個(gè)所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息;
基于所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息確定所述芯片的存儲(chǔ)容量;
對(duì)所述芯片的存儲(chǔ)容量進(jìn)行判斷,若所述芯片的存儲(chǔ)容量超過(guò)存儲(chǔ)容量的預(yù)定值,則所述芯片通過(guò)所述容量測(cè)試。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片測(cè)試方法,其特征在于,所述第一測(cè)試還包括:
獲取每個(gè)所述存儲(chǔ)塊的第一測(cè)試時(shí)間,并基于所述存儲(chǔ)塊的第一測(cè)試時(shí)間確定異常的所述存儲(chǔ)塊。
4.一種芯片測(cè)試裝置,其特征在于,所述芯片包括多個(gè)存儲(chǔ)塊,所述芯片測(cè)試裝置包括:
容量測(cè)試模塊,用于對(duì)所述芯片進(jìn)行容量測(cè)試,并獲得所述芯片的容量測(cè)試結(jié)果;
第一測(cè)試模塊,用于對(duì)通過(guò)所述容量測(cè)試的芯片進(jìn)行第一測(cè)試,獲得第一測(cè)試結(jié)果,其中,所述第一測(cè)試結(jié)果包括所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息,所述第一測(cè)試包括:對(duì)通過(guò)所述容量測(cè)試的所述芯片進(jìn)行所述第一測(cè)試,并獲得第一拒絕率以及所述芯片的第一測(cè)試時(shí)間;對(duì)所述芯片的第一測(cè)試時(shí)間和所述第一拒絕率進(jìn)行判斷,若所述第一測(cè)試時(shí)間小于或者等于所述第一測(cè)試時(shí)間的閾值且所述第一拒絕率小于或者等于所述第一拒絕率的閾值,則所述芯片通過(guò)所述第一測(cè)試;
異常檢測(cè)模塊,用于對(duì)于未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片,基于所述存儲(chǔ)塊的狀態(tài)信息,確定異常存儲(chǔ)塊;
第二測(cè)試模塊,用于對(duì)未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片,關(guān)閉所述芯片中至少一部分所述異常存儲(chǔ)塊,并進(jìn)行第二測(cè)試,獲得所述第二測(cè)試的結(jié)果,其中,所述第二測(cè)試包括:對(duì)未通過(guò)所述第一測(cè)試的所述芯片進(jìn)行所述第二測(cè)試,并獲得第二拒絕率以及所述芯片的第二測(cè)試時(shí)間;對(duì)所述第二測(cè)試時(shí)間和所述第二拒絕率進(jìn)行判斷,若所述第二測(cè)試時(shí)間小于或者等于所述第二測(cè)試時(shí)間的閾值且所述第二拒絕率小于或者等于所述第二拒絕率的閾值,則所述芯片通過(guò)所述第二測(cè)試。
5. 一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:
處理器,適于執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序;以及
計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,所述計(jì)算機(jī)程序被所述處理器執(zhí)行時(shí),實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的芯片測(cè)試方法。
6.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序,所述計(jì)算機(jī)程序使得計(jì)算機(jī)執(zhí)行如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的芯片測(cè)試方法。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
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- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
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