[發明專利]同步升壓電路、浮動柵壓控制方法、芯片以及電子設備

在審

• 申請號: 202211559625.2
• 申請日: 2022-12-06
• 公開（公告）號: CN115833074A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 盧宇;吳傳奎
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02H9/02;H02H7/122;H02M1/088;H02M7/155
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 湯金燕

本申請公開一種同步升壓電路、浮動柵壓控制方法、芯片以及電子設備，能夠防止瞬間電流過大造成的浮動地電位被拉至過高，引起電路邏輯錯誤。所述同步升壓電路包括：功率輸出模塊，所述功率輸出模塊包括整流功率管，所述整流功率管的一端耦合連接至所述功率輸出模塊的輸入電壓端，另一端耦合連接至所述功率輸出模塊的輸出電壓端；浮動控制模塊，所述浮動控制模塊以所述輸出電壓作為工作電源，以浮動地電源為接地端信號，用于對所述整流功率管的柵極電壓進行浮動控制，并對所述整流功率管的柵極電荷進行泄放，將所述整流功率管的柵源電壓鉗位至耐壓值以內。

技術領域

本申請涉及電源領域，具體涉及同步升壓電路、浮動柵壓控制方法、芯片以及電子設備。

背景技術

同步升壓電路通常使用整流PMOS功率管進行升壓輸出，如果最終輸出的電壓較高，導致整流PMOS管的柵源極或柵漏極承受的電壓過高，會導致整流PMOS管的工作狀態異常。

為了保持整流PMOS管的柵源極或柵漏極的電壓在安全范圍內，一種方案是使用鉗位電路，對所述PMOS功率管的柵極電壓的電位進行鉗位，但是采用鉗位的方法時，會增大所述同步升壓電路的功耗。另一種方案，則是采用浮動地電源對整流PMOM管進行驅動，而這需要對浮動地電源有一定的設計要求，至少要能夠具有足夠的吸收電流的能力，以防止瞬間電流過大造成的浮動地電源的電位被拉至過高，引起電路邏輯錯誤。

發明內容

鑒于此，本申請提供一種同步升壓電路、浮動柵壓控制方法、芯片以及電子設備，能夠防止瞬間電流過大造成的浮動地電位被拉至過高，引起電路邏輯錯誤。

本申請提供一種同步升壓電路，包括：功率輸出模塊，所述功率輸出模塊包括整流功率管，所述整流功率管的一端耦合連接至所述功率輸出模塊的輸入電壓端，另一端耦合連接至所述功率輸出模塊的輸出電壓端；浮動控制模塊，所述浮動控制模塊以所述輸出電壓作為工作電源，以浮動地電源為接地端信號，用于對所述整流功率管的柵極電壓進行浮動控制，并對所述整流功率管的柵極電荷進行泄放，將所述整流功率管的柵源電壓鉗位至耐壓值以內。

可選的，所述浮動控制模塊包括驅動單元，所述驅動單元包括：第十一反相器，用于獲取所述驅動信號，并對所述驅動信號進行反相處理；第一晶體管，源極連接至所述整流功率管的源極，柵極連接至所述第十一反相器的輸出端；串聯連接的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的輸入端用于獲取所述驅動信號，輸出端連接至所述第二反相器，所述第二反相器的輸出端連接至所述整流功率管的柵極；第二晶體管，漏極接地，柵極用于獲取所述驅動信號，源極連接至所述第一晶體管的漏極。

可選的，所述浮動控制模塊還包括第二浮動控制單元，所述第二浮動控制單元的輸入端連接驅動信號，輸出端連接至所述第一反相器的輸入端和所述第二晶體管的柵極，以對所述第二晶體管的柵極電壓進行浮動控制，將所述第二晶體管的柵源電壓鉗位至所述第二晶體管的耐壓值以內。

可選的，所述第二浮動控制單元包括第二控制子單元；所述第二控制子單元包括：第二反相器組，包括依次串聯的偶數個反相器；第二釋放管，源極連接至所述第二反相器組的輸出端，所述第二釋放管的柵極連接至所述第二反相器組的輸入端，漏極接地；所述第二反相器組內的反相器由MOS管構成，且所述MOS管的尺寸小于所述第二釋放管的尺寸。

可選的，所述第二浮動控制單元包括若干第二控制子單元，各個第二控制子單元的反相器組依次串聯構成第二反相器組串聯通路，所述第二反相器組串聯通路的輸入端用于連接至驅動信號，輸出端連接至所述第二晶體管的柵極。

可選的，所述浮動控制模塊還包括第一浮動控制單元，所述第一浮動控制單元的輸入端連接至所述第十一反相器的輸出端，輸出端連接至所述第一晶體管的柵極，用于對所述第一晶體管的柵極電壓進行浮動控制，將所述第一晶體管的柵源電壓鉗位至所述第一晶體管的耐壓值以內。