[發(fā)明專利]一種快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211546112.8
• 申請(qǐng)日: 2022-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN115796113A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李雷;陳志東;劉偉平;陸濤濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華大九天信息科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/398
• 分類號(hào): G06F30/398;G06F30/392
• 代理公司: 北京紅花知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 16030
• 代理人: 林樂(lè)飛

1.一種快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法，其特征在于，包括：

(1)搜索集成電路版圖中與電源/地網(wǎng)絡(luò)相連接的MOS管；

(2)基于搜索出的MOS管篩選并提取處于正常飽和區(qū)工作狀態(tài)的有效MOS管；

(3)根據(jù)所述有效MOS管的尺寸，參照預(yù)先設(shè)定的單位尺寸的MOS管的歸一化負(fù)載電流，獲取與所述有效MOS管相對(duì)應(yīng)的負(fù)載電流，并將獲取到的與所述負(fù)載電流加載到所述有效MOS管的電源布線所在的位置上；

(4)基于所加載的負(fù)載電流提取所述有效MOS管的配置區(qū)域的電阻網(wǎng)絡(luò)并建立電阻網(wǎng)絡(luò)矩陣；

(5)基于所述電阻網(wǎng)絡(luò)矩陣計(jì)算與有效MOS管相關(guān)的電路布線中的用于分析EM/IR的電學(xué)指標(biāo)參數(shù)；以及

(6)輸出集成電路版圖的EM/IR的分析結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法，其特征在于，

對(duì)于由多個(gè)單根柵極構(gòu)成的有效MOS管，根據(jù)單根柵極的尺寸分別計(jì)算與多個(gè)單根柵極相對(duì)應(yīng)的多個(gè)負(fù)載電流，將計(jì)算出的多個(gè)負(fù)載電流作為該有效MOS管的負(fù)載電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法，其特征在于，

對(duì)有效MOS管輸入端施加電壓激勵(lì)，根據(jù)在該有效MOS管的位置加載的負(fù)載電流，提取與有效MOS管相關(guān)的包括金屬、過(guò)孔、接觸孔、有源區(qū)的電阻信息，基于所述電阻信息建立電阻網(wǎng)絡(luò)矩陣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法，其特征在于，

步驟(5)包括：利用公式計(jì)算與有效MOS管相關(guān)的電路布線中的各點(diǎn)的電壓和功率，其中，P_i表示與有效MOS管相關(guān)的電路布線中的各點(diǎn)的功率，V_i表示與有效MOS管相關(guān)的電路布線中的各點(diǎn)的電壓，θ_ij表示與有效MOS管相關(guān)的電路布線節(jié)點(diǎn)之間電阻值，i，j＝1、2…n，以及

根據(jù)所述電壓和功率計(jì)算與有效MOS管相關(guān)的電路布線的電流密度。

5.一種快速分析集成電路版圖的EM/IR的裝置，其包括處理部、與所述處理部連接的存儲(chǔ)部及顯示部，其特征在于，所述處理部包括：

提取模塊，其篩選并提取處于正常飽和區(qū)工作狀態(tài)的有效MOS管；

負(fù)載電流加載模塊，其根據(jù)提取出的所述有效MOS管的尺寸，參照預(yù)先設(shè)定的單位尺寸的MOS管的歸一化負(fù)載電流，獲取與所述有效MOS管相對(duì)應(yīng)的負(fù)載電流，并將獲取到的與所述負(fù)載電流加載到所述有效MOS管的電源布線所在的位置上；

計(jì)算模塊，其基于所加載的負(fù)載電流提取所述有效MOS管的配置區(qū)域的電阻網(wǎng)絡(luò)并建立電阻網(wǎng)絡(luò)矩陣，并基于所述電阻網(wǎng)絡(luò)矩陣計(jì)算與有效MOS管相關(guān)的電路布線中的用于分析EM/IR的電學(xué)指標(biāo)參數(shù)；

輸出模塊，其用于輸出集成電路版圖的EM/IR的分析結(jié)果。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法，其特征在于，

對(duì)于由多個(gè)單根柵極構(gòu)成的有效MOS管，所述負(fù)載電流加載模塊根據(jù)單根柵極的尺寸分別計(jì)算與多個(gè)單根柵極相對(duì)應(yīng)的多個(gè)負(fù)載電流，將計(jì)算出的多個(gè)負(fù)載電流作為該有效MOS管的負(fù)載電流。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快速分析集成電路版圖的EM/IR的方法，其特征在于，

對(duì)有效MOS管輸入端施加電壓激勵(lì)，根據(jù)在該有效MOS管的位置加載的負(fù)載電流，提取與有效MOS管相關(guān)的包括金屬、過(guò)孔、接觸孔、有源區(qū)的電阻信息，基于所述電阻信息建立電阻網(wǎng)絡(luò)矩陣。