[發(fā)明專利]鍵合頭以及包括該鍵合頭的鍵合裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211540871.3
• 申請(qǐng)日: 2022-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN116313860A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔正德;樸瑛奎;全泳坤;成知?jiǎng)?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美科陶瓷科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/603
• 分類號(hào): H01L21/603;H01L21/67;H05F3/02
• 代理公司: 成都超凡明遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51258
• 代理人: 洪玉姬

提供一種鍵合頭和鍵合裝置，該鍵合頭包括：底座塊；加熱塊，設(shè)置在所述底座塊的上方，并產(chǎn)生熱；以及抗靜電塊，以能夠吸附芯片的方式配置在所述加熱塊上方，并配置為與接地電極電連接，以去除殘留在表面上的電子。由此，能夠有效地去除殘留在抗靜電塊的表面上的電子。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種鍵合頭以及包括該鍵合頭的鍵合裝置。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種拾取芯片并將所述芯片鍵合在基板上的鍵合頭和包括所述鍵合頭的鍵合裝置。

背景技術(shù)

近來，為了響應(yīng)對(duì)包括半導(dǎo)體封裝在內(nèi)的電子元件小型化的需求，開發(fā)了一種通過層疊多個(gè)電子元件來形成層疊芯片封裝的技術(shù)。

所述層疊芯片封裝是一種將芯片層疊在基板上的半導(dǎo)體封裝，是通過在所述芯片與基板接觸的狀態(tài)下施加熱和壓力而形成的。所述層疊芯片封裝由鍵合裝置形成。

所述鍵合裝置包括：卡盤結(jié)構(gòu)物，支撐所述基板；以及鍵合頭，通過將所述芯片層疊在基板上并對(duì)其進(jìn)行熱壓。具體地，所述鍵合頭通過在所述芯片與所述基板緊貼的狀態(tài)下加熱所述芯片，以融化凸塊，之后再次冷卻，從而將所述芯片鍵合在所述基板上。此時(shí)，形成在所述基板上的焊盤和所述芯片的凸塊可以相互電連接。由此，可以執(zhí)行鍵合工序。

另一方面，在所述鍵合工序之前執(zhí)行的多個(gè)工序的執(zhí)行期間，所述鍵合頭的表面可能會(huì)殘留很多電子。

尤其，當(dāng)鍵合頭接近芯片時(shí)，由于殘留在所述表面上的電子，可能在鄰近所述鍵合頭和芯片之間界面的位置處產(chǎn)生電弧。此時(shí)產(chǎn)生的高電壓導(dǎo)致芯片損壞，并產(chǎn)生芯片不良。

此外，當(dāng)鍵合頭連續(xù)拾取并移送芯片時(shí)，電子可能會(huì)非正常填充在與芯片接觸的鍵合頭的表面上，這可能成為出現(xiàn)電弧現(xiàn)象的原因。因此，有必要直接移送芯片或從所接觸的鍵合頭的表面去除電子。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明提供一種能夠有效消除殘留在表面上的電子的鍵合頭。

本發(fā)明提供一種包括能夠有效消除殘留在表面上的電子的鍵合頭的鍵合裝置。

用于解決問題的手段

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的鍵合頭包括：底座塊，加熱塊，設(shè)置在所述底座塊的上方，并產(chǎn)生熱；以及抗靜電塊，以能夠吸附芯片的方式配置在所述加熱塊上方，并配置為與接地電極電連接，以去除殘留在表面上的電子。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述抗靜電塊可以具有10ohm/sq以下的薄層電阻。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述抗靜電塊可以包括：抗靜電層，用于真空吸附所述芯片；以及種子層，介于所述加熱塊和所述抗靜電層之間。

其中，所述加熱塊包含氮化鋁，所述種子層包含氮化鈦，所述抗靜電層包含貴金屬中的至少一種，所述貴金屬包含金、鉑和銀。

另一方面，所述抗靜電層可以通過使用所述種子層的真空濺射工序形成。

此外，所述種子層的厚度可以在100至范圍內(nèi)，所述抗靜電層的厚度可以在1000至范圍內(nèi)。另一方面，所述抗靜電層可以具有1μm以下的平面度和1μm以下的表面粗糙度。

其中，所述抗靜電層可以配置為覆蓋所述加熱塊的上表面和側(cè)壁。

另一方面，所述抗靜電層可以包括：通孔，上下貫通，并提供真空流路；以及真空槽，與所述通孔連通，并形成于所述抗靜電層的上表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述加熱塊包括：加熱板，內(nèi)部配置有通過從外部施加的電源產(chǎn)生熱的發(fā)熱體；以及冷卻片，設(shè)置在所述加熱板的下部，用于冷卻所述加熱板。