[發明專利]鍵合頭以及包括該鍵合頭的鍵合裝置

在審

• 申請號: 202211540871.3
• 申請日: 2022-12-02
• 公開（公告）號: CN116313860A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 崔正德;樸瑛奎;全泳坤;成知勳
• 申請（專利權）人: 美科陶瓷科技有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603;H01L21/67;H05F3/02
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 洪玉姬

1.一種鍵合頭，其特征在于，

包括：

底座塊，

加熱塊，設置在所述底座塊的上方，并產生熱，以及

抗靜電塊，以能夠吸附芯片的方式配置在所述加熱塊上方，并配置為與接地電極電連接，以去除殘留在表面上的電子；

所述抗靜電塊包括：

抗靜電層，用于真空吸附所述芯片，以及

種子層，介于所述加熱塊和所述抗靜電層之間。

2.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述抗靜電塊具有10ohm/sq以下的薄層電阻。

3.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述加熱塊包含氮化鋁，

所述種子層包含氮化鈦，

所述抗靜電層包含貴金屬中的至少一種，所述貴金屬包含金、鉑和銀。

4.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述抗靜電層通過使用所述種子層的真空濺射工序形成。

5.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述種子層的厚度在100至范圍內，

所述抗靜電層的厚度在1000至范圍內。

6.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述抗靜電層具有1μm以下的平面度和1μm以下的表面粗糙度。

7.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述抗靜電層配置為覆蓋所述加熱塊的上表面和側壁。

8.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述抗靜電層包括：

通孔，上下貫通，并提供真空流路；以及

真空槽，與所述通孔連通，并形成于所述抗靜電層的上表面。

9.根據權利要求1所述的鍵合頭，其特征在于，

所述加熱塊包括：

加熱板，內部配置有通過從外部施加的電源產生熱的發熱體；以及

冷卻片，設置在所述加熱板的下部，并冷卻所述加熱板。

10.一種鍵合裝置，其特征在于，

包括：

卡盤結構物，用于支撐晶圓，以及

鍵合頭，可移動地配置在所述卡盤結構物的上方，并將芯片鍵合在所述晶圓；

所述鍵合頭包括：

底座塊，

加熱塊，設置在所述底座塊的上方，并產生熱，以及

抗靜電塊，包括抗靜電層，以能夠吸附模具的方式配置在所述加熱塊的上表面，并配置為與接地電極電連接，以去除殘留在表面上的電子；

所述抗靜電塊包括：

抗靜電層，用于真空吸附所述芯片；以及

種子層，介于所述加熱塊和所述抗靜電層之間。

11.根據權利要求10所述的鍵合裝置，其特征在于，

所述加熱塊包含氮化鋁，

所述種子層包含氮化鈦，以及

所述抗靜電層包含貴金屬中的至少一種，所述貴金屬包含金、鉑和銀；

所述抗靜電層通過使用所述種子層的真空濺射工序形成。