[發明專利]一種測高方法、高度補償方法及系統在審
| 申請號: | 202211535801.9 | 申請日: | 2022-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN115799114A | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 岳幫火;劉耀金;曾逸 | 申請(專利權)人: | 深圳市卓興半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G01B13/06 |
| 代理公司: | 深圳市添源創鑫知識產權代理有限公司 44855 | 代理人: | 姜書新 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 測高 方法 高度 補償 系統 | ||
1.一種測高方法,其特征在于:首先開啟吸嘴(1)的真空,控制擺臂(2)移動到固晶臺(3)需要進行測高點的位置,使擺臂(2)向下移動,直到吸嘴(1)觸碰到固晶點位時會堵塞真空并使檢測模塊產生信號變化,此時記錄當前擺臂(2)下降的高度脈沖值。
2.根據權利要求1所述的測高方法,其特征在于:所述檢測模塊為真空流量傳感器。
3.一種測高系統,包括擺臂(2)、以及安裝在所述擺臂(2)上的吸嘴(1),其特征在于:該測高系統還包括檢測模塊、控制模塊、記錄模塊,所述控制模塊用于控制所述擺臂(2)的移動、以及開啟吸嘴(1)的真空,所述檢測模塊用于檢測吸嘴(1)是否觸碰到固晶點位;當所述檢測模塊檢測到吸嘴(1)觸碰到固晶點位時,所述記錄模塊記錄當前擺臂(2)下降的高度脈沖值。
4.根據權利要求3所述的測高系統,其特征在于:所述檢測模塊為真空流量傳感器,當吸嘴(1)觸碰到固晶點位時會堵塞真空時,真空流量傳感器產生信號變化,此時記錄模塊記錄當前擺臂(2)下降的高度脈沖值。
5.一種高度補償方法,其特征在于,包括:
分區補償步驟:將單個固晶板分為多個分區,通過補償算法對每個分區中的每個固晶點進行高度補償。
6.根據權利要求5所述的高度補償方法,其特征在于,在所述分區補償步驟中,將單個固晶板分為64個分區,即行列分區均為8,如果存在行列不能整除的情況,則將多余的行列放入最后的行列,通過補償算法對每個分區中的每個固晶點進行高度補償。
7.根據權利要求5所述的高度補償方法,其特征在于,在所述補償算法中,任意取其中的一個分區,設該分區內的焊盤行列數為row、col,四個對角點測出的高度值為h1、h2、h3、h4,當前需要補償點位于此分區的行為cr,列為cc,當前固晶點加補償值后的實際高度為h,
h=h1+cc*(h2-h1)/(col-1)+
cr*{[(h4-h3)-(h2-h1)]/(row-1)}*[cc/(col-1)]*[row/(row+col)]+
cr*(h3-h1)/(row-1)+
cc*{[(h4-h2)-(h3-h1)]/(col-1)}*[cr/(row-1)]*[col/(row+col)]。
8.根據權利要求5所述的高度補償方法,其特征在于,該高度補償方法還包括測高步驟,所述測高步驟用于測量吸嘴(1)與固晶點之間的高度。
9.根據權利要求8所述的高度補償方法,其特征在于,在所述測高步驟中,首先開啟吸嘴(1)的真空,控制擺臂(2)移動到固晶臺(3)需要進行測高點的位置,使擺臂(2)向下移動,直到吸嘴(1)觸碰到固晶點位時會堵塞真空并使檢測模塊產生信號變化,此時記錄當前擺臂(2)下降的高度脈沖值。
10.根據權利要求9所述的高度補償方法,其特征在于:所述檢測模塊為真空流量傳感器。
11.一種高度補償系統,其特征在于,包括:
分區補償模塊:用于將單個固晶板分為多個分區,通過補償算法對每個分區中的每個固晶點進行高度補償。
12.根據權利要求11所述的高度補償系統,其特征在于,在所述分區補償模塊中,將單個固晶板分為64個分區,即行列分區均為8,如果存在行列不能整除的情況,則將多余的行列放入最后的行列,通過補償算法對每個分區中的每個固晶點進行高度補償。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





