[發明專利]一種測高方法、高度補償方法及系統在審
| 申請號: | 202211535801.9 | 申請日: | 2022-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN115799114A | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 岳幫火;劉耀金;曾逸 | 申請(專利權)人: | 深圳市卓興半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G01B13/06 |
| 代理公司: | 深圳市添源創鑫知識產權代理有限公司 44855 | 代理人: | 姜書新 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 測高 方法 高度 補償 系統 | ||
本發明提供了一種測高方法、高度補償方法及系統,在測高方法中,首先開啟吸嘴的真空,控制擺臂移動到固晶臺需要進行測高點的位置,使擺臂向下移動,直到吸嘴觸碰到固晶點位時會堵塞真空并使檢測模塊產生信號變化,此時記錄當前擺臂下降的高度脈沖值。本發明的有益效果是:本發明解決激光測高和凸輪結構高度轉換困難的問題,并且采用補償算法解決測高效率的問題,可最終實現對單PCB板幾萬個點高度都進行精確補償。
技術領域
本發明涉及固晶技術領域,尤其涉及一種測高方法、高度補償方法及系統。
背景技術
隨著LED行業的發展,LED晶圓尺寸變小,同樣PCB面積的燈珠數更多,這就對固晶機的良率有了更高的要求,而在不良情況里,壓碎晶圓的情況是最嚴重的,返修也很困難。而目前主流的擺臂固晶機由于固晶板(固晶板例如是PCB板)的平整度很難達到要求的誤差范圍內,從而導致固晶過程中會產生壓碎/裂晶圓或者貼合不上去的情況,影響良率。
當前主流的測高方式是使用激光測出pcb每點的高度值,然后進行高度補償,但是這種方式存在兩個缺點:
1.目前的擺臂邦頭結構由于要追求速度,所以基本采用凸輪結構,這樣對激光測高出來的實際數據存在一層轉換關系,受限于凸輪結構的特殊性,這個轉換關系很難推導且不準確。
2.如果每點進行測高,目前miniled行業pcb板子的基礎固點數量以萬為單位,導致想要將單板的每個點位進行激光測高花費的時間非常多,完全體現不出效率。
發明內容
本發明提供了一種測高方法,首先開啟吸嘴的真空,控制擺臂移動到固晶臺需要進行測高點的位置,使擺臂向下移動,直到吸嘴觸碰到固晶點位時會堵塞真空并使檢測模塊產生信號變化,此時記錄當前擺臂下降的高度脈沖值。
作為本發明的進一步改進,所述檢測模塊為真空流量傳感器。
本發明還提供了一種測高系統,包括擺臂、以及安裝在所述擺臂上的吸嘴,該測高系統還包括檢測模塊、控制模塊、記錄模塊,所述控制模塊用于控制所述擺臂的移動、以及開啟吸嘴的真空,所述檢測模塊用于檢測吸嘴是否觸碰到固晶點位;當所述檢測模塊檢測到吸嘴觸碰到固晶點位時,所述記錄模塊記錄當前擺臂下降的高度脈沖值。
作為本發明的進一步改進,所述檢測模塊為真空流量傳感器,當吸嘴觸碰到固晶點位時會堵塞真空時,真空流量傳感器產生信號變化,此時記錄模塊記錄當前擺臂下降的高度脈沖值。
本發明還提供了一種高度補償方法,包括:
分區補償步驟:將單個固晶板分為多個分區,通過補償算法對每個分區中的每個固晶點進行高度補償。
作為本發明的進一步改進,在所述分區補償步驟中,將單個固晶板分為64個分區,即行列分區均為8,如果存在行列不能整除的情況,則將多余的行列放入最后的行列,通過補償算法對每個分區中的每個固晶點進行高度補償。
作為本發明的進一步改進,在所述補償算法中,任意取其中的一個分區,設該分區內的焊盤行列數為row、col,四個對角點測出的高度值為h1、h2、h3、h4,當前需要補償點位于此分區的行為cr,列為cc,當前固晶點加補償值后的實際高度為h,
h=h1+cc*(h2-h1)/(col-1)+
cr*{[(h4-h3)-(h2-h1)]/(row-1)}*[cc/(col-1)]*[row/(row+col)]+
cr*(h3-h1)/(row-1)+
cc*{[(h4-h2)-(h3-h1)]/(col-1)}*[cr/(row-1)]*[col/(row+col)]。
作為本發明的進一步改進,該高度補償方法還包括測高步驟,所述測高步驟用于測量吸嘴與固晶點之間的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





