[發明專利]MOS器件的制備方法在審
| 申請號： | 202211514669.3 | 申請日： | 2022-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN116092940A | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | 羅軍;孔夢娟;許靜;孫祥烈 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667 | 代理人： | 孫峰芳 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 器件 制備 方法 | ||
1.一種MOS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
提供襯底，所述襯底上形成有柵區、源/漏區，并在所述襯底上的介質層中形成有通孔，所述通孔暴露出所述源/漏區的表面；
對所述源/漏區進行摻雜；
對摻雜后的所述源/漏區進行氫氣烘烤處理，以使所述源/漏區表面平整化；
在平整化的所述源/漏區表面形成金屬硅化物。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述源/漏區進行摻雜包括：采用離子注入的方式摻雜，或者采用原位摻雜的方式對源漏進行摻雜。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述MOS器件為NMOS器件，則對所述源/漏區進行N型雜質摻雜；如果所述MOS器件為PMOS器件，則對所述源/漏區進行P型雜質摻雜。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對摻雜后的所述源/漏區進行氫氣烘烤處理，包括：
將器件置于外延設備中，通入氫氣，具體條件為：真空環境600-900℃，壓強18-22Torr。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在氫氣烘烤處理之前，對所述源/漏區進行第一熱處理來激活雜質。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，對所述源/漏區進行第一熱處理包括：
使用尖峰退火進行第一熱處理，溫度為1050℃，時間60s。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在平整化的所述源/漏區表面形成金屬硅化物，包括：
沉積金屬層，所述金屬層覆蓋所述通孔的底部和側壁以及所述介質層的表面；
對所述源/漏區進行第二熱處理，使所述金屬層與所述源/漏區表面的材料反應形成金屬硅化物。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為5～10nm。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬層為Ti、TiN或者Ti與TiN的組合。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，使用快速熱退火或者激光退火對所述源/漏區進行第二熱處理，溫度為400～600℃，時間10～60s。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
