[發明專利]一種半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶及其制備方法

在審

• 申請號: 202211485999.4
• 申請日: 2022-11-24
• 公開（公告）號: CN115746729A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 劉杰;梁龍;李奎;李俊生;代世寶;王勇奇
• 申請（專利權）人: 蕪湖徽氏新材料科技有限公司
• 主分類號: C09J7/25
• 分類號: C09J7/25;C09J7/50;C09J7/35;C09J181/06;C09J11/06
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 尹婷婷

1.一種半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，所述半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶由下至上依次包括：聚酰亞胺基膜、底涂層、膠層；形成所述膠層的膠液包括以下原料：聚砜類材料、偶聯劑、抗氧劑、溶劑。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，形成所述膠層的膠液包括以下重量份的原料：聚砜類材料100份、偶聯劑5～15份、抗氧劑3～10份、溶劑250～350份。

3.根據權利要求1所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，所述聚砜類材料為端羥基封端的聚砜類材料。

4.根據權利要求1所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，所述聚砜類材料的結構式為：

所述聚砜類材料的分子量為50萬～200萬。

5.根據權利要求1所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，所述偶聯劑為環氧硅烷偶聯劑。

6.根據權利要求1所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，所述抗氧劑為受阻酚類抗氧劑、亞磷酸酯類抗氧劑中的至少一種；所述溶劑為N’N-二甲基甲酰胺、N’N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亞砜、環己酮、丁酮中的任意一種或多種。

7.根據權利要求1所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶，其特征在于，形成所述底涂層的材料為3M94底涂劑、3MK520底涂劑、環氧類底涂劑、聚乙烯亞胺底涂劑中的至少一種。

8.如權利要求1-7任意一項所述的半導體集成電路封裝用耐高溫熱塑型熱熔膠帶的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)將聚酰亞胺基膜進行電暈處理，將底涂劑涂布在聚酰亞胺基膜的電暈面上，進行固化干燥，得到具有底涂層的聚酰亞胺基膜；

(2)將膠液涂布在具有底涂層的聚酰亞胺基膜的底涂層上，經固化干燥后收卷。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，電暈處理后，聚酰亞胺基膜的電暈面的電暈值＞54。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，固化干燥所使用的烘箱由前至后各烘道溫度分別為70℃、90℃、110℃、130℃、140℃、145℃、110℃、90℃。