[發明專利]一種改善硅片塌邊的硅片加工機構及方法

在審

• 申請號: 202211480330.6
• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115741248A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 徐新華
• 申請（專利權）人: 杭州中欣晶圓半導體股份有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B19/22;B24B41/04;B24B41/06;B24B57/02
• 代理公司: 杭州融方專利代理事務所(普通合伙) 33266
• 代理人: 沈相權;詹雨露

本發明公開了一種改善硅片塌邊的硅片加工機構及方法，所述打磨頭的底端安裝有打磨墊和包覆側板，所述包覆側板和打磨墊圍成的區域為硅片安裝腔體，所述包覆側板的內部設置有輸水管和環形分水槽，所述輸水管的一端為進水端，所述輸水管的另一端延伸至環形分水槽，所述環形分水槽上連接有若干個分水支管，若干個所述分水支管貫穿包覆側板的內部，所述分水支管的內部與硅片安裝腔體相連通；所述打磨機構包括；打磨盤，所述打磨盤的表面由中心向外依次設置有內環下陷區、環形研磨片和外環下陷區。防止腐蝕性溶液殘留在硅片與包覆側板的間隙內，使得硅片的邊沿過度腐蝕，造成硅片塌邊。

技術領域

本發明涉及硅片加工技術領域，具體涉及一種改善硅片塌邊的硅片加工機構及方法。

背景技術

硅片是半導體元件制造的材料，一般情況下，多晶硅通過重熔拉晶，切片，倒角，研磨，拋光，清洗等工序后，即可獲得表面光滑平坦，邊緣整齊的芯片級硅片。隨著硅片直徑越來越大與集成電路特征尺寸越來越小，對晶圓表面平坦度及表面的潔凈程度、損傷度提出了更高的要求。在半導體工藝技術中，表面平坦化是處理高密度光刻的一項重要技術，因為沒有高低起伏的平坦表面，才能夠避免曝光時造成散射。而現有的硅片加工技術，硅片邊沿過度打磨，以及硅片邊沿過接觸腐蝕乳液時間較長，硅片邊沿過度腐蝕，造成硅片塌邊嚴重。

發明內容

本發明的目的在于提供一種改善硅片塌邊的硅片加工機構及方法，解決以下技術問題：

現有的硅片加工技術，硅片邊沿過度打磨，以及硅片邊沿過接觸腐蝕乳液時間較長，硅片邊沿過度腐蝕，造成硅片塌邊嚴重。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，包括：打磨頭和位于其下方的打磨機構；

所述打磨頭的底端安裝有打磨墊和包覆側板，所述包覆側板和打磨墊圍成的區域為硅片安裝腔體，所述包覆側板的內部設置有輸水管和環形分水槽，所述輸水管的一端為進水端，所述輸水管的另一端延伸至環形分水槽，所述環形分水槽上連接有若干個分水支管，若干個所述分水支管貫穿包覆側板的內部，所述分水支管的內部與硅片安裝腔體相連通；

所述打磨機構包括；打磨盤，所述打磨盤的表面由中心向外依次設置有內環下陷區、環形研磨片和外環下陷區，所述內環下陷區和外環下陷區的頂面高度均低于環形研磨片的頂面高度，所述環形研磨片的邊沿倒角。

進一步的，所述內環下陷區和外環下陷區為表面光滑，所述內環下陷區的中心位置設置有中部漏水槽，所述中部漏水槽的底端連接有漏水槽導管，所述漏水槽導管傾斜設置。

進一步的，所述輸水管的進水端通過管道連接到磨頭液泵，所述磨頭液泵位于打磨頭的一側，所述打磨頭的頂端設置有儲水盒。

進一步的，所述打磨盤的邊沿通過軸承安裝于打磨盤安裝槽內側壁，所述打磨盤安裝槽的內部底端設置有打磨電機，所述打磨電機的頂端輸出端連接到打磨盤的底端，所述打磨盤安裝槽的內部底端設置有打磨盤承托臺，所述打磨盤承托臺的頂端抵觸到打磨盤的底端，所述打磨盤承托臺的頂端設置有滑動滾珠。

進一步的，所述打磨盤安裝槽的兩側設置有出水管，所述出水管的一端連接到漏水槽導管的末端，所述出水管的另一端通向外部空間。

進一步的，所述環形研磨片的上方設置有涂液機構，所述涂液機構的頂端設置有腐蝕液容腔，所述腐蝕液容腔的底端設置有漏液層，所述漏液層的底端抵觸到刷液輥的頂端，所述刷液輥通過轉軸安裝于涂液機構的內側，所述腐蝕液容腔的頂端設置有加液口。

進一步的，所述打磨機構的一側設置有清潔機構，所述清潔機構包括：清潔海綿、中空中軸和清潔棉外殼體；所述清潔棉外殼體的內側通過中空中軸轉動連接有清潔海綿，所述中空中軸的外側設置有出液口，所述出液口位于清潔海綿內部，所述中空中軸的一端通過軸承連接到進液管，所述中空中軸的另一端連接到清洗電機，所述進液管的末端通過液泵連接到水箱。