[發明專利]一種改善硅片塌邊的硅片加工機構及方法

在審

• 申請號: 202211480330.6
• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115741248A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 徐新華
• 申請（專利權）人: 杭州中欣晶圓半導體股份有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B19/22;B24B41/04;B24B41/06;B24B57/02
• 代理公司: 杭州融方專利代理事務所(普通合伙) 33266
• 代理人: 沈相權;詹雨露

1.一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，包括：打磨頭(3)和位于其下方的打磨機構；

所述打磨頭(3)的底端安裝有打磨墊(2)和包覆側板(1)，所述包覆側板(1)和打磨墊(2)圍成的區域為硅片安裝腔體，所述包覆側板(1)的內部設置有輸水管(101)和環形分水槽(103)，所述輸水管(101)的一端為進水端，所述輸水管(101)的另一端延伸至環形分水槽(103)，所述環形分水槽(103)上連接有若干個分水支管(102)，若干個所述分水支管(102)貫穿包覆側板(1)的內部，所述分水支管(102)的內部與硅片安裝腔體相連通；

所述打磨機構包括；打磨盤(6)，所述打磨盤(6)的表面由中心向外依次設置有內環下陷區(605)、環形研磨片(601)和外環下陷區(604)，所述內環下陷區(605)和外環下陷區(604)的頂面高度均低于環形研磨片(601)的頂面高度，所述環形研磨片(601)的邊沿倒角。

2.根據權利要求1所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述內環下陷區(605)和外環下陷區(604)為表面光滑，所述內環下陷區(605)的中心位置設置有中部漏水槽(602)，所述中部漏水槽(602)的底端連接有漏水槽導管(603)，所述漏水槽導管(603)傾斜設置。

3.根據權利要求1所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述輸水管(101)的進水端通過管道連接到磨頭液泵(302)，所述磨頭液泵(302)位于打磨頭(3)的一側，所述打磨頭(3)的頂端設置有儲水盒(301)。

4.根據權利要求1所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述打磨盤(6)的邊沿通過軸承安裝于打磨盤安裝槽(8)內側壁，所述打磨盤安裝槽(8)的內部底端設置有打磨電機(803)，所述打磨電機(803)的頂端輸出端連接到打磨盤(6)的底端，所述打磨盤安裝槽(8)的內部底端設置有打磨盤承托臺(801)，所述打磨盤承托臺(801)的頂端抵觸到打磨盤(6)的底端，所述打磨盤承托臺(801)的頂端設置有滑動滾珠。

5.根據權利要求4所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述打磨盤安裝槽(8)的兩側設置有出水管(802)，所述出水管(802)的一端連接到漏水槽導管(603)的末端，所述出水管(802)的另一端通向外部空間。

6.根據權利要求1所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述環形研磨片(601)的上方設置有涂液機構(7)，所述涂液機構(7)的頂端設置有腐蝕液容腔(702)，所述腐蝕液容腔(702)的底端設置有漏液層(703)，所述漏液層(703)的底端抵觸到刷液輥(701)的頂端，所述刷液輥(701)通過轉軸安裝于涂液機構(7)的內側，所述腐蝕液容腔(702)的頂端設置有加液口。

7.根據權利要求1所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述打磨機構的一側設置有清潔機構，所述清潔機構包括：清潔海綿(10)、中空中軸(1001)和清潔棉外殼體(9)；所述清潔棉外殼體(9)的內側通過中空中軸(1001)轉動連接有清潔海綿(10)，所述中空中軸(1001)的外側設置有出液口(1002)，所述出液口(1002)位于清潔海綿(10)內部，所述中空中軸(1001)的一端通過軸承連接到進液管(1003)，所述中空中軸(1001)的另一端連接到清洗電機，所述進液管(1003)的末端通過液泵連接到水箱。

8.根據權利要求1所述的一種改善硅片塌邊的硅片加工機構，其特征在于，所述打磨頭(3)的頂端連接到磨頭電機(5)的輸出端，所述磨頭電機(5)的頂端通過連接板連接到移動座(4)，所述移動座(4)安裝于伸縮氣缸(11)的行程桿，所述伸縮氣缸(11)安裝于磨頭安裝架(12)一側，所述磨頭安裝架(12)連接到下壓機構。