[發(fā)明專利]半導體結構及其形成方法

在審

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• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115763526A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設計）人: 張博;楊繼業(yè)
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 李娟

一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供襯底；在襯底內(nèi)形成體區(qū)，體區(qū)具有第一導電類型；在襯底內(nèi)形成第一漂移摻雜區(qū)、以及位于第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)的若干第二漂移摻雜區(qū)，第一漂移摻雜區(qū)與體區(qū)相鄰，若干第二漂移摻雜區(qū)相互分立，第一漂移摻雜區(qū)具有第二導電類型，第二漂移摻雜區(qū)具有第一導電類型，第一導電類型和第二導電類型不同；在襯底上形成柵極層，部分柵極層位于體區(qū)上，且另一部分柵極層還位于第一漂移摻雜區(qū)上；分別在柵極層兩側(cè)形成漏區(qū)和源區(qū)，漏區(qū)位于第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)，源區(qū)位于體區(qū)內(nèi)，源區(qū)和漏區(qū)具有第二導電類型，在提高器件的耐壓特性的同時，降低器件的導通電阻，提高LDMOS器件性能。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其是涉及一種半導體結構及其形成方法。

背景技術

高壓功率器件中的LDMOS器件(Lateral Double-Diffused Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管)由于電流在器件表面橫向流動的特點，使其與CMOS器件工藝兼容性好。同時相比于傳統(tǒng)功率器件來說，LDMOS器件因其擊穿電壓高、導通電阻低的良好特性而廣泛應用。

然而，常規(guī)LDMOS器件中耐壓與導通電阻之間矛盾突出。現(xiàn)有技術形成的LDMOS器件難以同時滿足上述性能要求，需進一步改進。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術問題是提供一種半導體結構及其形成方法，能夠改善半導體結構性能。

為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案提供一種半導體結構，包括：襯底；位于所述襯底內(nèi)的體區(qū)，所述體區(qū)具有第一導電類型；位于所述襯底內(nèi)的第一漂移摻雜區(qū)、以及位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)的若干第二漂移摻雜區(qū)，所述第一漂移摻雜區(qū)與所述體區(qū)相鄰，若干所述第二漂移摻雜區(qū)相互分立，所述第一漂移摻雜區(qū)具有第二導電類型，所述第二漂移摻雜區(qū)具有所述第一導電類型，所述第一導電類型和所述第二導電類型不同；位于所述襯底上的柵極層，部分所述柵極層位于所述體區(qū)上，且另一部分所述柵極層還位于所述第一漂移摻雜區(qū)上；分別位于所述柵極層兩側(cè)的漏區(qū)和源區(qū)，所述漏區(qū)位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)位于所述體區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)具有第二導電類型。

可選的，包括：所述若干第二漂移摻雜區(qū)平行于第一方向，且沿第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向相互垂直；所述柵極層沿所述第二方向延伸。

可選的，所述第二漂移摻雜區(qū)在沿所述第二方向上的尺寸范圍為0.5μm至10μm，相鄰所述第二漂移摻雜區(qū)之間的距離范圍為0.5μm至10μm。

可選的，還包括：位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)的隔離結構，所述柵極層還位于部分所述隔離結構上，且所述漏區(qū)位于所述隔離結構在遠離所述柵極層的一側(cè)。

可選的，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型；所述第一漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第一漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm；所述第二漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第二漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm。

可選的，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；所述第一漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第一漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm；所述第二漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第二漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm。