[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

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• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115763526A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張博;楊繼業(yè)
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李娟

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底內(nèi)的體區(qū)，所述體區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；

位于所述襯底內(nèi)的第一漂移摻雜區(qū)、以及位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)的若干第二漂移摻雜區(qū)，所述第一漂移摻雜區(qū)與所述體區(qū)相鄰，若干所述第二漂移摻雜區(qū)相互分立，所述第一漂移摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，所述第二漂移摻雜區(qū)具有所述第一導(dǎo)電類型，所述第一導(dǎo)電類型和所述第二導(dǎo)電類型不同；

位于所述襯底上的柵極層，部分所述柵極層位于所述體區(qū)上，且另一部分所述柵極層還位于所述第一漂移摻雜區(qū)上；

分別位于所述柵極層兩側(cè)的漏區(qū)和源區(qū)，所述漏區(qū)位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)位于所述體區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)具有第二導(dǎo)電類型。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：所述若干第二漂移摻雜區(qū)平行于第一方向，且沿第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向相互垂直；所述柵極層沿所述第二方向延伸。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二漂移摻雜區(qū)在沿所述第二方向上的尺寸范圍為0.5μm至10μm，相鄰所述第二漂移摻雜區(qū)之間的距離范圍為0.5μm至10μm。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)，所述柵極層還位于部分所述隔離結(jié)構(gòu)上，且所述漏區(qū)位于所述隔離結(jié)構(gòu)在遠離所述柵極層的一側(cè)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型；所述第一漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第一漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm；所述第二漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第二漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型；所述第一漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第一漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm；所述第二漂移摻雜區(qū)的濃度范圍為1×10¹²atom/cm³至1×10²¹atom/cm³，所述第二漂移摻雜區(qū)的深度范圍為0.5μm至30μm。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二漂移摻雜區(qū)與所述體區(qū)之間的距離范圍為0.5μm至10μm。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干第二漂移摻雜區(qū)的數(shù)量范圍為大于或等于3個。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底內(nèi)形成體區(qū)，所述體區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；

在所述襯底內(nèi)形成第一漂移摻雜區(qū)、以及位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)的若干第二漂移摻雜區(qū)，所述第一漂移摻雜區(qū)與所述體區(qū)相鄰，若干所述第二漂移摻雜區(qū)相互分立，所述第一漂移摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型，所述第二漂移摻雜區(qū)具有所述第一導(dǎo)電類型，所述第一導(dǎo)電類型和所述第二導(dǎo)電類型不同；

在所述襯底上形成柵極層，部分所述柵極層位于所述體區(qū)上，且另一部分所述柵極層還位于所述第一漂移摻雜區(qū)上；

分別在所述柵極層兩側(cè)形成漏區(qū)和源區(qū)，所述漏區(qū)位于所述第一漂移摻雜區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)位于所述體區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)具有第二導(dǎo)電類型。