[發明專利]一種銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試方法和裝置在審
| 申請號: | 202211470486.6 | 申請日: | 2022-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN115763290A | 公開(公告)日: | 2023-03-07 |
| 發明(設計)人: | 黃良輝;陳志明;劉家敬;黃耀浩 | 申請(專利權)人: | 廣東南海啟明光大科技有限公司;佛山市瑞納新材科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R27/02;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 肖烜 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 銀鋁漿搭接 區域 perc 電池 影響 測試 方法 裝置 | ||
本發明涉及光伏檢測技術領域領域,更具體地,本發明涉及一種銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試方法和裝置。銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試方法,包括:將銀漿在無激光刻槽的PERC測試硅片進行印刷,烘干后,用同一塊圖形的網版印刷銀漿,再印刷鋁漿,再次烘干后,對印刷好的硅片進行燒結,然后對燒結后的電極用電阻測試儀進行測試,記錄電阻儀示數即可。本發明測試方法簡單,圖案簡單,能夠精確測量出銀漿鋁漿搭接區域對電池開壓的影響,能保證評定背銀銀漿性能數據的準確性的同時也能提高測試效率,受印刷因素和測試因素影響小,數據準確性高,且測試得到的數據方便處理,直觀。
技術領域
本發明涉及光伏檢測技術領域領域,更具體地,本發明涉及一種銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試方法和裝置。
背景技術
在光伏產業中,銀漿制作廠商會遇到銀漿和鋁漿的搭配性問題,也是各個電池片廠家重視的問題。銀漿和鋁漿的匹配性問題是銀漿制作廠商非常重視的問題,也是其研發工作的重點,如何準確評價銀漿的實用性、準確性、穩定性和可靠性,離不開必要的科學測試方法和工具。目前背面銀漿除了關注自身的一些性質之外,更應該關注銀漿與鋁漿搭接后產生的影響,銀漿和鋁漿搭接區域由于混合后混合漿腐蝕性變強,導致搭接區域會腐蝕穿PREC電池背面的氮化硅鈍化層和三氧化二鋁鈍化層,從而對電池的開壓造成一定的影響,目前由于背銀與鋁漿搭配性問題帶來的開壓影響越來越明顯,主要還是在銀鋁搭接區域。雖然電池廠能上1000片左右的硅片能精確比較不同類型的銀漿開壓影響,但是銀漿廠商需要更為簡單的測試方法來銀漿在鋁漿搭接區域對電池開壓的影響。
發明內容
針對現有技術中存在的一些問題,本發明第一個方面提供了一種銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試方法,包括:將銀漿在無激光刻槽的PERC測試硅片進行印刷,烘干后,用同一塊圖形的網版印刷鋁漿,再次烘干后,對印刷好的硅片進行燒結,然后對燒結后的電極用電阻測試儀進行測試,記錄電阻儀示數即可。
在本申請銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試方法中,電阻測試儀上的示數越大表示銀鋁漿搭接區對PERC電池開壓影響越小。
在一種實施方式中,銀漿和鋁漿印刷的圖案為軸對稱結構,包括鏡像的第一結構和第二結構。
優選的,所述第一結構和第二結構為水平T型結構,具體見圖1。
優選的,第一結構和第二結構的長度為28-32mm,更優選為30mm;寬度為6-8mm,優選為7mm;水平T型結構角尾長度為18-22mm,更優選為20mm,寬度為6-8mm,更優選為7mm。
優選的,第一結構和第二結構的間距為3-5mm,更優選為4mm。
本申請特定的第一結構和第二結構的設置,使得印刷簡單,圖案所占位置小,能夠在同一片測試硅片上多處印刷,并且銀漿鋁漿所用的圖案一致。
在一種實施方式中,通過網版將銀漿和鋁漿印刷在PERC測試硅片上。
在一種實施方式中,燒結的條件為750-790℃。
本發明第二個方面提供了一種銀鋁漿搭接區域對PERC電池開壓影響的測試裝置,包括:無激光刻槽的PERC測試硅片1,以及印刷在PERC測試硅片表面的銀鋁漿模塊2。
在一種實施方式中,所述銀鋁漿模塊為上下重疊的銀漿模塊和鋁漿模塊,其中,銀漿模塊與PERC測試硅片接觸。
在一種實施方式中,銀漿模塊和鋁漿模塊為軸對稱結構,包括鏡像的第一結構和第二結構。
優選的,所述第一結構和第二結構為水平T型結構,具體見圖1。
優選的,第一結構和第二結構的長度為28-32mm,更優選為30mm;寬度為6-8mm,優選為7mm;水平T型結構角尾201長度為18-22mm,更優選為20mm,寬度為6-8mm,更優選為7mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





