[發明專利]一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法

在審

• 申請號: 202211470373.6
• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115863180A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 張家成;李雪健;李小康;徐杰;吳傲軍
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/492
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請公開了一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法，涉及半導體制造領域。該方法包括：提供一半導體襯底，半導體襯底上形成有Al PAD；對Al PAD進行覆蓋層蝕刻處理；對Al PAD進行表面放電處理；對Al PAD進行濕法清洗。本申請通過在覆蓋層蝕刻處理之后、濕法清洗之前，對Al PAD進行表面放電處理，減少了原電池反應發生的可能性，實現了減少濕法清洗后Al PAD表面出現空洞型缺陷的可能性的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法。

背景技術

在半導體工藝中，鋁憑借其良好的抗氧化性及焊接性能，被用作制造芯片外互聯和焊盤的制作材料。

在常見的Al制程中，依次會進行覆蓋層蝕刻處理、濕法清洗處理。

然而，由于在覆蓋層蝕刻處理后，會在晶圓表面殘留電荷，導致原電池反應的加劇，總的反應過程式為：。可以發現，隨著反應的進行，PAD上晶界處銅周圍的鋁會被逐漸消耗，當消耗至銅鋁不接觸時，就會在PAD表面形成凹坑，即空洞型缺陷，影響生產良率。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法，該方法包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底上形成有Al PAD；

對所述Al PAD進行覆蓋層蝕刻處理；

對所述Al PAD進行表面放電處理；

對所述Al PAD進行濕法清洗。

可選的，所述對所述Al PAD進行表面放電處理，包括：

采用DIW工藝對所述Al PAD進行表面放電處理。

可選的，所述對所述Al PAD進行濕法清洗，包括：

對所述Al PAD進行EKC清洗。

可選的，所述EKC清洗的清洗時長為70-200s。

可選的，在所述對所述Al PAD進行濕法清洗之后，包括：

對所述Al PAD進行氧氣處理，以在所述Al PAD表面形成致密氧化層。

可選的，在所述對所述Al PAD進行氧氣處理之后，包括：

對所述Al PAD進行退火處理。

可選的，所述覆蓋層蝕刻處理包括如下步驟：主刻蝕、副刻蝕、后處理和Ar+Treatment。

可選的，所述方法應用于55nm及55nm以下半導體工藝中。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

1.通過在覆蓋層蝕刻處理之后、濕法清洗之前，對Al PAD進行表面放電處理，減少了原電池反應發生的可能性，進而減少了濕法清洗后Al PAD表面出現空洞型缺陷的可能性，提高了生產良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請一實施例提供的一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法的流程圖；

圖2是本申請另一實施例提供的一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法的流程圖。

具體實施方式