[發明專利]一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法

在審

• 申請號: 202211470373.6
• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115863180A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 張家成;李雪健;李小康;徐杰;吳傲軍
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/492
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種用于改善PAD空洞型缺陷的工藝方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底上形成有Al PAD；

對所述Al PAD進行覆蓋層蝕刻處理；

對所述Al PAD進行表面放電處理；

對所述Al PAD進行濕法清洗。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述Al PAD進行表面放電處理，包括：

采用DIW工藝對所述Al PAD進行表面放電處理。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述Al PAD進行濕法清洗，包括：

對所述Al PAD進行EKC清洗。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述EKC清洗的清洗時長為70-200s。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對所述Al PAD進行濕法清洗之后，包括：

對所述Al PAD進行氧氣處理，以在所述Al PAD表面形成致密氧化層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述對所述Al PAD進行氧氣處理之后，包括：

對所述Al PAD進行退火處理。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層蝕刻處理包括如下步驟：主刻蝕、副刻蝕、后處理和Ar+Treatment。

8.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述方法應用于55nm及55nm以下半導體工藝中。