[發(fā)明專利]非光敏膠圖形化加工工藝

在審

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• 申請日: 2022-11-22
• 公開（公告）號: CN115692192A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳銀培;劉耀菊;寧珈祺;楊巨椽
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州美迪凱微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 杭州華知專利事務(wù)所(普通合伙) 33235
• 代理人: 張德寶

本發(fā)明公開了一種非光敏膠圖形化加工工藝，其工藝步驟為：S1、取出基板，在基板上涂覆一層非光敏膠達到設(shè)定的目標厚度；S2、在非光敏膠上層再涂覆一層光敏膠；S3、在光敏膠上覆蓋上掩膜版，掩膜版為部分鏤空設(shè)計，鏤空的部分為圖形化加工的產(chǎn)品圖案；S4、再使用光刻顯影；S5、取下掩膜版，通過干法刻蝕的方式，將裸露出來的底層非光敏膠刻蝕干凈，并保證上層光敏膠保護區(qū)域的非光敏膠不被刻蝕到；S6、通過去膠液將非光敏膠上層殘留的光敏膠去除，而不破壞下層的非光敏膠，最終得到圖形化的非光敏膠。本發(fā)明工藝實現(xiàn)了非光敏膠的圖形化加工，且圖形尺寸精度遠高于印刷工藝。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體干法刻蝕工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種非光敏膠圖形化加工工藝。

背景技術(shù)

目前半導(dǎo)體行業(yè)在快速發(fā)展，市場對于半導(dǎo)體器件的需求也越來越大，半導(dǎo)體的形式也越來越多樣化。其中一部分部件就涉及到在硅基板上涂覆有機膠后進行圖形化加工的半導(dǎo)體器件。由于在半導(dǎo)體器件上涂覆的有機膠為非光敏膠導(dǎo)致圖形化加工無法直接用光刻顯影的方式做出，且使用印刷的方式無法達到圖形尺寸精度。

因此，如何實現(xiàn)了非光敏膠的高精度圖形化加工是現(xiàn)有需要解決的重要研究方向。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明設(shè)計了一種非光敏膠圖形化加工工藝。

本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種非光敏膠圖形化加工工藝，其工藝步驟為：

S1、取出基板，在基板上涂覆一層非光敏膠達到設(shè)定的目標厚度；

S2、在非光敏膠上層再涂覆一層光敏膠；

S3、在光敏膠上覆蓋上掩膜版，掩膜版為部分鏤空設(shè)計，鏤空的部分為圖形化加工的產(chǎn)品圖案；

S4、再使用光刻機曝光的方式將上層光敏膠進行圖形化加工，曝光后被光照的區(qū)域光敏膠發(fā)生質(zhì)變，再在光敏膠表面倒上顯影液通過低速旋涂的方式使顯影液流過光敏膠表面，變質(zhì)的光敏膠會與顯影液反應(yīng)并溶解在顯影液中被帶走；

S5、取下掩膜版，通過干法刻蝕的方式，將氣體通入腔體進行電離，電離后的離子在上下電場的作用下加速向下運動將裸露出來的底層非光敏膠刻蝕干凈，并保證上層光敏膠保護區(qū)域的非光敏膠不被刻蝕到；

S6、通過去膠液將非光敏膠上層殘留的光敏膠去除，而不破壞下層的非光敏膠，最終得到圖形化的非光敏膠，完成整個非光敏膠圖形化加工工藝。

作為優(yōu)選，所述非光敏膠采用鐵電性能膠。

作為優(yōu)選，步驟S2中，光敏膠厚度為非光敏膠厚度的2-3倍。

作為優(yōu)選，步驟S1中，非光敏膠的厚度控制在微米級。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明設(shè)計了一種非光敏膠圖形化加工工藝, 該工藝實現(xiàn)了非光敏膠的圖形化加工，且圖形尺寸精度遠高于印刷工藝。

附圖說明

圖1是本發(fā)明中基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中基板涂上非光敏膠的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2中非光敏膠上涂上光敏膠的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3中光敏膠上蓋上掩膜版的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4中光刻顯影后的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖5中拿掉掩膜版的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖6中干法蝕刻后的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是圖7中去除殘留的光敏膠的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、基板，2、非光敏膠，3、光敏膠，4、掩膜版。

具體實施方式

下面通過具體實施例，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步的具體描述：

實施例：如附圖1所示，一種非光敏膠圖形化加工工藝，其工藝步驟為：