[發(fā)明專利]非光敏膠圖形化加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211463090.9 | 申請日: | 2022-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN115692192A | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳銀培;劉耀菊;寧珈祺;楊巨椽 | 申請(專利權)人: | 杭州美迪凱微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/311 | 分類號: | H01L21/311 |
| 代理公司: | 杭州華知專利事務所(普通合伙) 33235 | 代理人: | 張德寶 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市錢塘*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光敏 圖形 加工 工藝 | ||
1.一種非光敏膠圖形化加工工藝,其特征是,其工藝步驟為:
S1、取出基板,在基板上涂覆一層非光敏膠達到設定的目標厚度;
S2、在非光敏膠上層再涂覆一層光敏膠;
S3、在光敏膠上覆蓋上掩膜版,掩膜版為部分鏤空設計,鏤空的部分為圖形化加工的產(chǎn)品圖案;
S4、再使用光刻機曝光的方式將上層光敏膠進行圖形化加工,曝光后被光照的區(qū)域光敏膠發(fā)生質(zhì)變,再在光敏膠表面倒上顯影液通過低速旋涂的方式使顯影液流過光敏膠表面,變質(zhì)的光敏膠會與顯影液反應并溶解在顯影液中被帶走;
S5、取下掩膜版,通過干法刻蝕的方式,將氣體通入腔體進行電離,電離后的離子在上下電場的作用下加速向下運動將裸露出來的底層非光敏膠刻蝕干凈,并保證上層光敏膠保護區(qū)域的非光敏膠不被刻蝕到;
S6、通過去膠液將非光敏膠上層殘留的光敏膠去除,而不破壞下層的非光敏膠,最終得到圖形化的非光敏膠,完成整個非光敏膠圖形化加工工藝。
2.根據(jù)權利要求1所述的非光敏膠圖形化加工工藝,其特征是,所述非光敏膠采用鐵電性能膠。
3.根據(jù)權利要求1所述的非光敏膠圖形化加工工藝,其特征是,步驟S2中,光敏膠厚度為非光敏膠厚度的2-3倍。
4.根據(jù)權利要求1所述的非光敏膠圖形化加工工藝,其特征是,步驟S1中,非光敏膠的厚度控制在微米級。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





