[發(fā)明專利]一種具有二階氧化層的SiC MOSFET結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211453931.8
• 申請(qǐng)日: 2022-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115832025A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伍偉;高崇兵;喻明康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種具有二階氧化層的SiC MOSFET結(jié)構(gòu)，其元胞結(jié)構(gòu)包括金屬漏極(1)，位于金屬漏極(1)上方的N+襯底(2)和N型漂移區(qū)(3)，所述漂移區(qū)(3)中設(shè)有P阱區(qū)(4)及N基區(qū)(5)、金屬源極(6)、多晶硅柵極(8)，所述多晶硅柵極下方設(shè)有柵氧化層(7)，其特征在于，所述多晶硅柵極(8)底部的柵氧化層結(jié)構(gòu)為二階氧化層(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有二階氧化層的SiC MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，二階氧化層(7)位于器件JFET區(qū)上方中心處。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有二階氧化層的SiC MOSFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，二階氧化層(7)結(jié)構(gòu)中上方的第二階氧化層的寬度為2μm，厚度為100nm。