[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211446768.2 | 申請日: | 2022-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN116314098A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 浦田敦史 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置,其具有:
引線框,其具有彼此電氣獨立的多個管芯焊盤部;
半導體元件,其設置于各所述管芯焊盤部之上;
導線,其將所述半導體元件與所述引線框電連接;
環(huán)氧類樹脂,其至少設置于所述引線框的一部分;以及
封裝樹脂,其至少將各所述管芯焊盤部、所述半導體元件、所述導線及所述環(huán)氧類樹脂覆蓋。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
所述環(huán)氧類樹脂設置于所述引線框的端部上表面及側面中的至少一者。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置,其中,
所述環(huán)氧類樹脂設置于所述管芯焊盤部的下表面,并且所述環(huán)氧類樹脂的至少一部分從所述封裝樹脂露出。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中,
所述環(huán)氧類樹脂的導熱率大于或等于7W/m·K。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置,其中,
所述環(huán)氧類樹脂設置于所述導線的表面。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置,其中,
所述環(huán)氧類樹脂設置于所述導線與所述引線框之間的接合部及所述導線與所述半導體元件之間的接合部。
7.一種半導體裝置的制造方法,其具有以下工序:
第1工序,準備引線框,該引線框具有彼此電氣獨立的多個管芯焊盤部;
第2工序,在各所述管芯焊盤部之上設置半導體元件;
第3工序,至少在所述引線框的一部分設置環(huán)氧類樹脂;
第4工序,通過導線將所述半導體元件與所述引線框電連接;以及
第5工序,通過封裝樹脂而至少將各所述管芯焊盤部、所述半導體元件、所述導線及所述環(huán)氧類樹脂覆蓋。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法,其中,
在所述第3工序中,所述環(huán)氧類樹脂設置于所述引線框的端部上表面及側面中的至少1者。
9.根據權利要求7或8所述的半導體裝置的制造方法,其中,
在所述第3工序中,以設置于所述管芯焊盤部的下表面,并且所述環(huán)氧類樹脂的至少一部分從所述封裝樹脂露出的方式設置所述環(huán)氧類樹脂。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法,其中,
所述環(huán)氧類樹脂的導熱率大于或等于7W/m·K。
11.根據權利要求7至10中任一項所述的半導體裝置的制造方法,其中,
在所述第4工序與所述第5工序之間還具有在所述導線的表面設置所述環(huán)氧類樹脂的第6工序。
12.根據權利要求7至11中任一項所述的半導體裝置的制造方法,其中,
在所述第3工序中,所述環(huán)氧類樹脂是通過環(huán)氧類液體樹脂涂敷裝置而涂敷于所述引線框的。
13.根據權利要求7至12中任一項所述的半導體裝置的制造方法,其中,
所述環(huán)氧類樹脂是環(huán)氧類液體樹脂。
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