[發明專利]高電壓貫通型電容器在審
| 申請號: | 202211422950.4 | 申請日: | 2022-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN116612982A | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 加茂雄大;龜橋健一;田中壽 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/005 | 分類號: | H01G4/005;H01G4/002;H01G4/224;H01G4/236;H01G4/06;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;黃浩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 貫通 電容器 | ||
本發明提供一種高電壓貫通型電容器,其在素體上形成有在相互對置的第一主面和第二主面上開口的貫通孔。貫通導體具有位于貫通孔內的第一部分和從第二主面突出的第二部分。絕緣殼以包圍素體的方式配置。絕緣罩以包圍第二部分的方式配置。絕緣管覆蓋第一部分。樹脂以到達素體的內表面和絕緣管之間的空間的方式填充于絕緣罩的內側。絕緣管的電阻率為樹脂的電阻率以上。
技術領域
本發明涉及高電壓貫通型電容器。
背景技術
已知的高電壓貫通型電容器具備:具有相互對置的第一主面和第二主面的素體、貫通導體、接地配件、絕緣殼、絕緣罩、絕緣管、以及樹脂(例如,參照日本特許第3803258號)。該高電壓貫通型電容器具有配置于第一主面的第一電極和配置于第二主面的第二電極。在素體上形成有在第一主面和第二主面上開口的貫通孔。貫通導體具有位于貫通孔內的第一部分和從第二主面突出的第二部分,并且與第一電極電連接。接地配件與第二電極電連接。絕緣殼以包圍素體的方式配置。絕緣罩以包圍第二部分的方式配置。絕緣管覆蓋第一部分。樹脂填充于絕緣殼的內側及絕緣罩的內側。
發明內容
本發明的一個方式的目的在于,提供一種提高可靠性的高電壓貫通型電容器。
一個方式的高電壓貫通型電容器具備素體、第一電極、第二電極、貫通導體、接地配件、絕緣殼、絕緣罩、絕緣管、第一樹脂、以及第二樹脂。素體具有相互對置的第一主面和第二主面。在素體上形成有在第一主面和第二主面上開口的貫通孔。第一電極配置于第一主面。第二電極配置于第二主面。貫通導體具有比貫通孔的內徑小的外徑,并且與第一電極電連接。貫通導體具有位于貫通孔內的第一部分和從第二主面突出的第二部分。接地配件與第二電極電連接。絕緣殼以包圍素體的方式配置。絕緣罩以包圍第二部分的方式配置。絕緣管覆蓋第一部分。第一樹脂以覆蓋素體的方式填充于絕緣殼的內側。第二樹脂以到達劃分貫通孔的素體的內表面和絕緣管之間的空間的方式填充于絕緣罩的內側。絕緣管具有第二樹脂的電阻率以上的電阻率。
本發明人等對提高可靠性的高電壓貫通型電容器進行了調查研究。其結果是,本發明人等重新發現了以下事項。
形成于第二電極和貫通導體這兩個導體間的電場的強度影響到高電壓貫通型電容器的可靠性。以下,形成于第二電極和貫通導體之間的電場的強度有時被簡稱為“導體間電場強度”。在導體間電場強度高的高電壓貫通型電容器中,容易產生絕緣破壞。絕緣破壞例如通過沿著劃分貫通孔的素體內表面的放電而產生。因此,在采用了降低導體間電場強度的結構的高電壓貫通型電容器中,難以產生絕緣破壞。即,采用了降低導體間電場強度的結構的高電壓貫通型電容器可提高可靠性。
本發明人等對降低導體間電場強度的結構進行了調查研究。其結果是,本發明人等發現了絕緣管的電阻率和第二樹脂的電阻率的關系會影響到導體間電場強度。即,絕緣管具有第二樹脂的電阻率以上的電阻率的結構使導體間電場強度降低。絕緣管的電阻率和第二樹脂的電阻率之間的關系在以往并未考慮到。
在上述一個方式中,絕緣管具有第二樹脂的電阻率以上的電阻率。因此,上述一個方式可使導體間電場強度降低,提高可靠性。
本發明將從下文給出的詳細描述和僅以說明的方式給出的附圖得到更充分的理解,因此,不應被視為限制本發明。
本發明的進一步適用范圍將從下文給出的詳細描述中變得顯而易見。然而,應當理解的是,雖然示出本發明的實施例,但詳細的描述和具體實施方式僅通過說明的方式給出,這是因為在本發明的精神和范圍內的各種變化和修改對于本領域技術人員來說將從該詳細描述中變得顯而易見。
附圖說明
圖1是表示一實施方式的高電壓貫通型電容器的分解立體圖。
圖2是表示本實施方式的高電壓貫通型電容器的剖面結構的圖。
圖3是表示電阻率和電場強度的關系的圖表。
圖4是表示電場強度的模擬結果的一例的圖。
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