[發(fā)明專利]高電壓貫通型電容器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211422950.4
• 申請(qǐng)日: 2022-11-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116612982A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加茂雄大;龜橋健一;田中壽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/005
• 分類號(hào): H01G4/005;H01G4/002;H01G4/224;H01G4/236;H01G4/06;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

1.一種高電壓貫通型電容器，其具備：

素體，其具有相互對(duì)置的第一主面和第二主面，并且形成有在所述第一主面和所述第二主面上開(kāi)口的貫通孔；

第一電極，其配置于所述第一主面；

第二電極，其配置于所述第二主面；

貫通導(dǎo)體，其具有比所述貫通孔的內(nèi)徑小的外徑，并且與所述第一電極電連接，具有位于所述貫通孔內(nèi)的第一部分和從所述第二主面突出的第二部分；

接地配件，其與所述第二電極電連接；

絕緣殼，其以包圍所述素體的方式配置；

絕緣罩，其以包圍所述第二部分的方式配置；

絕緣管，其覆蓋所述第一部分；

第一樹(shù)脂，其以覆蓋所述素體的方式填充于所述絕緣殼的內(nèi)側(cè)；

第二樹(shù)脂，其以到達(dá)劃分所述貫通孔的所述素體的內(nèi)表面和所述絕緣管之間的空間的方式填充于所述絕緣罩的內(nèi)側(cè)，

所述絕緣管具有所述第二樹(shù)脂的電阻率以上的電阻率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓貫通型電容器，其中，

所述絕緣管的電阻率為1×10⁹Ω·m以上1×10¹⁵Ω·m以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高電壓貫通型電容器，其中，

所述第二樹(shù)脂的電阻率為1×10⁷Ω·m以上1×10¹⁵Ω·m以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的高電壓貫通型電容器，其中，

所述第一樹(shù)脂及所述第二樹(shù)脂含有環(huán)氧樹(shù)脂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的高電壓貫通型電容器，其中，

所述第二樹(shù)脂的電阻率相對(duì)于所述絕緣管的電阻率的比例為0.000001以上1以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電壓貫通型電容器，其中，

所述第二樹(shù)脂的電阻率相對(duì)于所述絕緣管的電阻率的比例為0.000001以上0.01以下。