[發明專利]晶片載放臺在審
| 申請號: | 202211403176.2 | 申請日: | 2022-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN116264180A | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 只木干也;升和宏;橫野拓也;山名啟太;高野谷憐音;入山暖輝 | 申請(專利權)人: | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 載放臺 | ||
1.一種晶片載放臺,其中,
在具有晶片載放面的陶瓷基體的內部,第一導電層和第二導電層植入于不同的高度,且具備將所述第一導電層和所述第二導電層電導通的導通部,
所述晶片載放臺的特征在于,
所述導通部為橫向放置的線圈或帶孔筒狀體。
2.根據權利要求1所述的晶片載放臺,其特征在于,
所述陶瓷基體的材料進入于所述導通部的內部空間。
3.根據權利要求1或2所述的晶片載放臺,其特征在于,
所述導通部的截面形狀為圓形或橢圓形。
4.根據權利要求1~3中的任一項所述的晶片載放臺,其特征在于,
所述導通部為線圈,
所述第一導電層及所述第二導電層中的至少一者具有沿著厚度方向貫通的孔,通過所述線圈進入于所述孔中而使得所述孔的內表面和所述線圈的側面相接觸。
5.根據權利要求1~4中的任一項所述的晶片載放臺,其特征在于,
所述第二導電層為俯視與所述第一導電層交叉的線狀或長方形狀的導電層,
所述導通部的軸線為沿著所述第二導電層的延伸方向的直線狀。
6.根據權利要求1~4中的任一項所述的晶片載放臺,其特征在于,
所述第二導電層為俯視與所述第一導電層重復的環狀或扇狀的導電層,
所述導通部的軸線為與所述第二導電層呈同心圓的圓弧狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





