[發明專利]晶片載放臺

在審

• 申請號: 202211403176.2
• 申請日: 2022-11-10
• 公開（公告）號: CN116264180A
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 只木干也;升和宏;橫野拓也;山名啟太;高野谷憐音;入山暖輝
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

本發明提供一種晶片載放臺，在不同高度的第一導電層及第二導電層經由導通部而導通的晶片載放臺的基礎上，使晶片的均熱性變得良好。晶片載放臺(10)構成為：在具有晶片載放面(12a)的陶瓷基體(12)的內部，副RF電極(21)(第一導電層)和跳線層(22)(第二導電層)植入于不同的高度，且具備將副RF電極(21)和跳線層(22)電導通的導通部(30)。導通部(30)為橫向放置的線圈或帶孔筒狀體。

技術領域

本發明涉及晶片載放臺。

背景技術

以往，已知有用于處理晶片的晶片載放臺。作為晶片載放臺，有：陶瓷加熱器、靜電卡盤、基座(內置有等離子體發生用的電極的基座)等。例如，專利文獻1公開了：作為該晶片載放臺，在具有晶片載放面的陶瓷基體的內部，自靠近晶片載放面的一方，圓板狀的第一電極和外徑比第一電極的外徑大的環狀的第二電極按與晶片載放面平行的方式植入。第一電極和第二電極經由導通部而電導通。專利文獻1中，作為導通部，公開了采用了呈之字形彎曲的金屬網的例子、將線圈縱向放置的例子等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-163259號公報

發明內容

然而，作為導通部，采用了呈之字形彎曲的金屬網、縱向放置的線圈的情況下，導通部的導通路徑與第一電極和第二電極之間的距離相比，相當長。若如此，則容易在導通部發熱，有時對晶片的均熱性帶來不良影響。

本發明是為了解決上述課題而實施的，其主要目的在于，在不同高度的第一導電層及第二導電層經由導通部而導通的晶片載放臺的基礎上，使晶片的均熱性變得良好。

本發明的晶片載放臺構成為：

在具有晶片載放面的陶瓷基體的內部，第一導電層和第二導電層植入于不同的高度，且具備將所述第一導電層和所述第二導電層電導通的導通部，

所述晶片載放臺的特征在于，

所述導通部為橫向放置的線圈或帶孔筒狀體。

該晶片載放臺中，導通部為橫向放置的線圈或帶孔筒狀體。因此，與作為導通部采用了呈之字形彎曲的金屬網或縱向放置的線圈的情形相比，導通部的導通路徑接近于第一導電層與第二導電層之間的距離。所以，能夠抑制在導通部發熱，進而能夠使晶片的均熱性變得良好。應予說明，作為帶孔筒狀體，例如可以舉出：沖孔金屬筒狀體、金屬網筒狀體等。

本發明的晶片載放臺中，所述陶瓷基體的材料可以進入于所述導通部的內部空間。據此，陶瓷基體的密度偏差變小，并且，強度提高。

本發明的晶片載放臺中，所述導通部的截面形狀可以為圓形或橢圓形。據此，即便在制造工序中從導通部的上下施加壓縮方向上的力，導通部也能夠將該力吸收。

本發明的晶片載放臺中，所述導通部可以為線圈，所述第一導電層及所述第二導電層中的至少一者可以具有沿著厚度方向貫通的孔，通過所述線圈進入于所述孔中，可以使得所述孔的內表面和所述線圈的側面相接觸。據此，與線圈和各導電層點接觸的情形相比，接觸面積增加，因此，容易確保導通。

本發明的晶片載放臺中，所述第二導電層可以為俯視與所述第一導電層交叉的線狀或長方形狀的導電層，所述導通部的軸線可以為沿著所述第二導電層的延伸方向的直線狀。據此，能夠使導通部的長度比較長，容易確保第一導電層與第二導電層的導通。

本發明的晶片載放臺中，所述第二導電層可以為俯視與所述第一導電層重復的環狀或扇狀的導電層，所述導通部的軸線可以為與所述第二導電層呈同心圓的圓弧狀。據此，能夠使導通部的長度比較長，容易確保第一導電層與第二導電層的導通。

附圖說明

圖1是晶片載放臺10的平面圖。

圖2是圖1的A-A截面圖。