[發明專利]一種下垂辣椒離體再生體系的構建方法有效
| 申請號： | 202211390003.1 | 申請日： | 2022-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN115486372B | 公開（公告）日： | 2023-03-17 |
| 發明（設計）人： | 汪志偉;舒黃英;葛平飛;郝園園;成善漢;朱國鵬 | 申請（專利權）人： | 海南大學三亞南繁研究院 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 海南盛億專利代理事務所(普通合伙) 46005 | 代理人： | 吳燕梅 |
| 地址： | 572025 海南省三亞*** | 國省代碼： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 下垂 辣椒 再生 體系 構建 方法 | ||
1.一種下垂辣椒離體再生體系的構建方法，其特征在于，它包括以下步驟：
S1. 無菌苗的獲取：取下垂辣椒種子，用超純水浸泡后滅菌處理，所述滅菌的方法為：75%乙醇浸泡1～2min，無菌水沖洗2次后，用10%（v/v）的次氯酸鈉溶液震蕩15～20min，用無菌水沖洗5～8次，用無菌濾紙吸干后接種到MS固體培養基上獲得無菌苗；
S2.誘導培養：將生長15～25d的無菌苗切取帶柄子葉作為外植體，接種到誘導培養基上培養20～25d，帶柄子葉兩端生成愈傷組織與不定芽；其中，所述誘導培養基為MS+3mg/L6-BA +0.5mg/L IAA；
S3. 繼代培養：將步驟S2生成的愈傷組織與不定芽轉移至繼代培養基中培養15～20d，不定芽長至4～6cm；其中，所述繼代培養基與誘導培養基相同；
S4. 生根培養：將步驟S2或S3的不定芽切分下來接種到生根培養基中，培養2～3周長出5～8條根系；其中，所述生根培養基為MS＋0.2 mg/L IAA；
S5. 煉苗移栽：待步驟S4的生根苗株高7～10cm，去瓶蓋煉苗1～2d，將再生苗從培養瓶中取出，洗掉根部培養基，栽入品氏泥炭中，培養20～25d，移栽至室外。
2.根據權利要求1所述的一種下垂辣椒離體再生體系的構建方法，其特征在于，步驟S2中所述帶柄子葉的長度為0.5～1cm。
3.根據權利要求1所述的一種下垂辣椒離體再生體系的構建方法，其特征在于，步驟S1、S2、S3和S4培養的光照條件為：光照培養時間為16～18h，光照培養強度為3000～4000lux。
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