[發明專利]一種DCB基板雙層同時燒結的方法

在審

• 申請號: 202211389733.X
• 申請日: 2022-11-08
• 公開（公告）號: CN115615197A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 祝林;賀賢漢;杜濤;陽強俊;戴洪興
• 申請（專利權）人: 上海富樂華半導體科技有限公司
• 主分類號: F27B21/04
• 分類號: F27B21/04;F27D1/18;F27D3/12;F27D5/00
• 代理公司: 上海申浩律師事務所 31280
• 代理人: 陸葉

1.一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，將一層待燒結的陶瓷板以及銅箔兩者先后依次放置在燒結治具的凹形擺放槽內；

步驟二，燒結治具的上端擺放有蓋板，將另一層待燒結的陶瓷板以及銅箔兩者先后依次放置在蓋板上方；

步驟三，進行燒結。

2.根據權利要求1所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：步驟一之前，將燒結治具擺放在輸送帶上。

3.根據權利要求1所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：所述燒結治具的材質為碳化硅材料。

4.根據權利要求1所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：所述蓋板的原料包括質量百分比為96％的AL₂O₃陶瓷、質量百分比為1.5％-2.3％的SiO₂以及質量百分比為2.5％-1.7％的鎂和鈣。

5.根據權利要求1所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：所述蓋板的寬度為150-165mm，長度為190-210mm，厚度為0.9-1.1mm。

6.根據權利要求1所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：所述燒結治具包括相對設置的支撐部，所述支撐部通過連接平臺相連，且所述支撐部的底部低于所述連接平臺的底部；

兩個所述支撐部的鄰近側且位于高于所述連接平臺的區域包括上下設置的從上至下靠攏傾斜的斜面部以及外凸的階梯部；

所述斜面部用于擺放陶瓷板。

7.根據權利要求6所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：兩個支撐部左右設置；

所述燒結治具的高度為17-30mm，所述燒結治具前后方向上的長度為190-210mm；

所述燒結治具的左右方向上的寬度為150-165mm；

所述支撐部頂部左右方向上的寬度為1.9-2.3mm；

所述支撐部的底部左右方向上的寬度為23-27mm；

所述連接平臺的厚度為4-6mm；

所述連接平臺左右方向上的寬度為100-110mm；

所述連接平臺的底部與所述支撐部的底部的間距為2-4mm；

所述斜面部的傾斜角度為30-60°；

所述連接平臺的底面通過半徑為14-18mm與所述支撐部相連。

8.根據權利要求1所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：燒結過程中，兩層待燒結的產品依次途徑高溫區、恒溫區以及降溫區；

高溫區沿著輸送方向依次為四個變功率區域，四個變功率區域分別依次為第一區域、第二區域、第三區域以及第四區域；

所述第一區域的頂部輸出功率百分比設定為70-80％，底部輸出功率百分比設定為90-100％；

所述第二區域的頂部輸出功率百分比設定為75-85％，底部輸出功率百分比設定為90-100％；

所述第三區域的頂部輸出功率百分比設定為85-95％，底部輸出功率百分比設定為90-100％；

所述第四區域的頂部輸出功率百分比設定為90-100％，底部輸出功率百分比設定為90-100％。

9.根據權利要求2所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：所述運輸帶的傳輸速度為75mm/min-170mm/min。

10.根據權利要求8所述的一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于：所述第一區域的長度為300-400mm；

第二區域的長度為300-400mm；

第三區域的長度為300-400mm；

第四區域的長度為300-400mm。