[發明專利]一種DCB基板雙層同時燒結的方法

在審

• 申請號: 202211389733.X
• 申請日: 2022-11-08
• 公開（公告）號: CN115615197A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 祝林;賀賢漢;杜濤;陽強俊;戴洪興
• 申請（專利權）人: 上海富樂華半導體科技有限公司
• 主分類號: F27B21/04
• 分類號: F27B21/04;F27D1/18;F27D3/12;F27D5/00
• 代理公司: 上海申浩律師事務所 31280
• 代理人: 陸葉

本發明涉及半導體技術領域。一種DCB基板雙層同時燒結的方法，包括如下步驟：步驟一，將一層待燒結的陶瓷板以及銅箔兩者先后依次放置在燒結治具的凹形擺放槽內；步驟二，燒結治具的上端擺放有蓋板，將另一層待燒結的陶瓷板以及銅箔兩者先后依次放置在蓋板上方；步驟三，進行燒結。本發明實現DCB基板銅箔和陶瓷板的燒結由單層變為上下雙層同時燒結，提高了燒結爐燒結產能及生產效率，同時提高了燒結良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體是DCB基板的制造方法。

背景技術

覆銅陶瓷基板(DCB基板)的銅箔和陶瓷板是在燒結爐中經高溫燒結完成結合的，由于受到燒結工藝技術的限制，目前DCB基板的生產廠家在燒結時其產品都是單層組裝后進行燒結的。具體也就是，將陶瓷板放在燒結墊板上，再將銅箔放在陶瓷板上，之后進入燒結爐進行燒結，而這種生產工藝存在著燒結產能及生產效率低的問題。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明提供一種DCB基板雙層同時燒結的方法，以解決以上至少一個技術問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種DCB基板雙層同時燒結的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，將一層待燒結的陶瓷板以及銅箔兩者先后依次放置在燒結治具的凹形擺放槽內；

步驟二，燒結治具的上端擺放有蓋板，將另一層待燒結的陶瓷板以及銅箔兩者先后依次放置在蓋板上方；

步驟三，進行燒結。

本發明實現DCB基板銅箔和陶瓷板的燒結由單層變為上下雙層同時燒結，提高了燒結爐燒結產能及生產效率，同時提高了燒結良率。

進一步優選的，步驟一之前，將燒結治具擺放在輸送帶上。

進一步優選的，所述燒結治具的材質為碳化硅材料。能夠在高溫與低溫反復循環中使用。

進一步優選的，所述蓋板的原料包括質量百分比為96％的AL₂O₃陶瓷、質量百分比為1.5％-2.3％的SiO₂以及質量百分比為2.5％-1.7％的鎂和鈣。

進一步優選的，所述蓋板的寬度為150-165mm，長度為190-210mm，厚度為0.9-1.1mm。

進一步優選的，所述燒結治具包括相對設置的支撐部，所述支撐部通過連接平臺相連，且所述支撐部的底部低于所述連接平臺的底部；

兩個所述支撐部的鄰近側且位于高于所述連接平臺的區域包括上下設置的從上至下靠攏傾斜的斜面部以及外凸的階梯部；

所述斜面部用于擺放陶瓷板。

進一步優選的，兩個支撐部左右設置；

所述燒結治具的高度為17-30mm，所述燒結治具前后方向上的長度為190-210mm；

所述燒結治具的左右方向上的寬度為150-165mm；

所述支撐部頂部左右方向上的寬度為1.9-2.3mm；

所述支撐部的底部左右方向上的寬度為23-27mm；

所述連接平臺的厚度為4-6mm；

所述連接平臺左右方向上的寬度為100-110mm；

所述連接平臺的底部與所述支撐部的底部的間距為2-4mm；

所述斜面部的傾斜角度為30-60°；

所述連接平臺的底面通過半徑為14-18mm與所述支撐部相連。